Att krympa transistorer för att ta fram rymligare minneskretsar är inte längre ett gångbart alternativ, varför industrin istället riktar blickarna mot olika former av 3D-tekniker där minnescellerna staplas på höjden. Nu tillkännager Western Digital och Toshiba ett nytt teknikgenombrott inom området.

I ett pressmeddelande framgår att Western Digital i samarbete med Toshiba tagit fram sin tredje generations 3D NAND – BICS3 (Bit Cost Scaling) – med 64 lager minnesceller staplade ovanpå varandra. Detta kan jämföras mot nuvarande BICS2 och Samsungs 3D V-NAND med 48 lager.

BiCS3 will feature the use of 3-bits-per-cell technology along with advances in high aspect ratio semiconductor processing to deliver higher capacity, superior performance and reliability at an attractive cost. Together with BiCS2, our 3D NAND portfolio has broadened significantly, enhancing our ability to address a full spectrum of customer applications in retail, mobile and data center.

Den första kretsen har en kapacitet om 256 Gb (32 GB) och använder tekniken Triple Level Cell (TLC), där varje minnescell rymmer tre bitar data. Sammantaget bör det innebära att produktionskostnaden är lägre än dagens generation 3D NAND, vilket på sikt kan driva ned priserna på bland annat SSD-enheter.

Western Digital inleder leveranserna av sina BICS3-minneskretsar inom kort och produkter med tekniken väntas hitta ut i handeln mot slutet av året.