Allt blir i stort sett dubbelt så bra som DDR3
Samsung Electronics, den största tillverkaren av DRAM, sade under förra veckan att företag nu färdigställt utvecklingen av industrins första DDR4-minnesmodul, vilken tillverkas med chip producerade med 30 nm-processen.
De nya DDR4 DRAM-modulerna kan komma upp i en dataöverföringshastighet av 2,133 Gbps och spänningen behöver inte ligga på högre än 1,2 V, jämfört med 1,6 Gbps och 1,35 V eller 1,5 V för DDR3-minnen. Tittar man på moduler för bärbara datorer kommer även strömförbrukningen att minskas med 40 % jämfört med DDR3.
Att DDR4 drar så lite är på grund av en ny teknik som kallas POD, eller psuedo open drain. Den tillåter minnesmodulen att dra hälften så mycket ström som tidigare. Genom en ny arkitektur i chipen kan Samsungs DDR4-minnen även dubbla frekvensen och kan nu köras i 3,2 GHz, vilken kan jämföras med det normala 1,6 GHz för DDR3 och 800 MHz för DDR2
Samsung planerar nu att arbeta tillsammans med ett antal servertillverkare för att slutföra JEDEC-standardisering av DDR4 under andra halvan av året.
Källa: http://feber.se/pc/art/198008/samsung_klar_med_frsta_ddr4mod/
Sökte på forumet om detta redan stod någonstans men hittade inget.
