TSMC spenderar rekordbudget på forskning under 2013

Hoppas då att Maxwell verkligen blir i 20 nm teknik och att det inte dröjer så länge innan 800-serien kommer.

Det var ju en väldig massa miljarder man spenderar. Hur mycket går dom i vinst tro?

Tyckte nästan det lät lite som påhittade siffror när de var 1360 och 768, men en sådan upplösning var det visst inte. Blir intressant att se om de får liknande problem som Intel med värme etc eller om förklaringen faktiskt låg i värmespridarens konstruktion.

TSMC:s 20 nm teknik är inte FinFET, dvs det är fortfarande vanliga planar-transistorer. Vilket troligen bara lämpar sig för low power, tänk ARM SoC för mobiltelefoner. Vi kommer troligen inte att se några högprestanda chip som GPU:er på TSMC:s 20nm. Får vänta nåt år till på 16nm vertikala transistorer.

Sen är det skillnad på finFET och finFET också. Intels version kallas tri-gate för att den skiljer sig ifrån en klassisk finFET. Ännu vet väl ingen utomstående vad för sorts finFET TSMC kommer använda för sin 16nm process.

Nja, visst blir utvecklingskostnaden dyrare men om sedan tillverkningskostnaden sjunker så kanske det kan äta upp lite av det första. Hoppas jag i alla fall...

Edit: Menar kostnade per färdigt chip om det blir fler per wafer, utrustningen lär ju inte vara gratis.

Var inget som nämndes under talet, utan man visade bara upp vad som faktiskt varit fallet för ARMs CPUer vad det gäller krympning och dess direkta påverkan på strömförbrukning.

Men tror det har att göra med att vi alltid har haft två egenskaper kring strömförbrukning där den ena, energimängden som krävs för att få en transistor att "slå om", alltid minskar med mindre noder. Den andra egenskapen är hur mycket ström som transistorn "läcker" när den är i "stängt" läge, denna ström ökar med mindre noder. Tidigare var den senare ökning en eller flera tiopotenser ifrån den första så man fick alltid en vinst, någonstans vid 45/65nm verkar det som om dessa två saker tar ut varandra och när man kommer ner till ~20nm så krävs det saker som FinFET eller liknade för att inte strömförbrukningen ska öka i stället.

Hela poängen med FinFET är ju att öka arean som transistorn har mot gate:en och på så sätt kan man sänka läckströmmen. Men då läckströmmen ökar snabbare än vinsten från att transistorn blir mindre så kommer det krävas något annat relativt snart.

Dessa skenande kostnader kommer i längden inte att leda till sänkta kostnader. Priset per transistor sjunker knappt något längre. et innebär att priset för en viss prestanda nivå också närmar sej en konstantnnivå.

Skickades från m.sweclockers.com

Vad är klassisk finFET?

Skickades från m.sweclockers.com

Finns en ok artikel på wikipedia: Multigate device.

Tl;DR är väl att "klassisk" finFET mest är en "fena" med gates på båda sidor medans Intels tri-gate har fler både ovanpå och nertill. Därav att man inte borde blanda dem utan säga multi-gate eller dylikt. De enda multi-gate som kallas 3D-transistor är Intels tri-gate. Ska bli väldigt intressant hur TSMC, GloFO medfl gör finFET och hur de presterar i jämförelse med Intels tri-gate.

Det viktiga är dock att man får en mer vertikal istället för plan transistor genom att konstruera den som en "fena". Löser många problem, tidigare har det sagt att det "inte går" göra vanliga plana transistorer under ca 32 nm (TSMCs 28 nm är jämförbar med Intels 32 nm). Nu ska TSMC sälja vanliga såna på 20 nm, ska bli intressant att se hur det går. Som det ser ut nu så har de inget som fungerar i högre frekvenser, dvs inga CPUer som klarar 3 GHz, ingen PCIe 2+ osv. Dock ska det fungera bra för tex telefoner och plattor som inte har samma prestanda-krav. Men hur det blir får vi väl se.

När får vi CPUer ifrån tex AMD eller Apple på 16 nm finFET då? Tja, slutet på förra året sa vissa kristallkulor mitten på 2015. Nu är en del lite mer optimistiska, men den som lever får se.

TSMCs track record är ju inte sådär svallande. Vid 40 nm tex eller nu senast vid 28.