TSMC förbereder 16 nanometer med 3D-transistorer för högpresterande kretsar

20 nm med Finfet är 20 nm med Finfet, inte "16 nm".
Marknadsföring har ett dåligt rykte av en anledning.

Och TSMC bevisade just varför.

Så kan någon förklara varför det är en 16nm krets om transistorerna inte ligger tätare?

Edit: Kommer dessa kretsar ändå ligga nära effektiviteten av Intels 14nm?

Ledningsbanor och transistorer kan mycket väl vara mindre, bara det att transistortätheten inte ökats.

Nu kan jag inte speciellt mycket om detta, men de kan ju lägga transistorerna över en större yta?
Dock blir det ju färre processorer per wafer... :\
Hmm...

Jag vet inte, men det var en tanke jag fick iaf.

Nä, det är inget krav.

Nej men man får bättre transistorer.

Alltid något bakom horisontens horisont som gör att man konstant vill vänta liiite till innan nästa uppgradering

Skickades från m.sweclockers.com

Jämför med AMD när dom gick ifrån 32nm till 28nm på sin A-serie med nya Kaveri. Transistortätheten ökade betydligt mer än vad bara krympningen i sig gjorde.
Dom ändrade även på vissa andra saker för att få upp transistortätheten.
http://www.sweclockers.com/recension/18514-amd-a10-7850k-och-...

[QUOTE=Yoshman;14511202]Tror inte sambandet är så enkelt. Finns (minst) två egenskaper kring transistorers strömförbrukning

1. mindre transistorer behöver inte lika hög potentialskillnad mellan "nolla" och "etta", så de är billigare att ändra tillstånd på

2. mindre transistorer läcker mer ström vilket ökar den statiska strömförbrukningen

Fram till runt 65nm var 2. mer eller mindre ett icke-problem så krympning innebar minskad strömförbrukning. Men 2. blir ett allt större problem ju mindre noder man nu kommer till vilket är en stor anledning till att man måste ta till saker som FinFET (som än mer komplicerar processen). Det verkar att det enda man garanterat får av mindre noder nu är möjlighet att stoppa in fler transistorer på en viss kretsyta, inte alls säkert att det blir vare sig billigare eller strömsnålare.

28nm kommer under väldigt lång tid framöver vara den billigaste noden då det är den sista noden när man kunde använda en enkel mask vid tillverkningen, under det går det inte att ta fram en enskild mask med tillräckligt hög upplösning så man måste göra det i flera steg (två steg på 20nm) något som både komplicerar och förlänger tiden för att tillverka kretsar.[/QUOTE]

Vad är en mask för något?

Mönstret du lägger på wafern som du sedan belyser med UV-ljus. Då utsätts waferns för ljus på vissa ställen men inte på andra vilket skapar ett mönster med ledningsbanor i kislet. Extremt förenklat. Googla "photolithography".

Däremot får du bättre transistorer. Dessa "3D-transistorer" som läcker mindre ström och därmed blir mer energieffektiva. Vi såg ju vilket lyft Intel gjorde i energieffektivitet när dem introducerade samma.

Av någon anledning får jag mig alltid ett gott skratt, när jag ser din avatar.:D

Hehe, då funkar den!