AMD lovar två nya grafikprocessorer 2016

Ett steg ger inte dubbla antalet transistorer i praktiken och måtten har mindre och mindre att göra med den faktiska storleken på transistorerna. Så det är inte direkt relaterat till FinFET utan det är hur tekniken har fungerat ett tag.

Vi kan titta på steget från Sandy Bridge (32 nm) till Ivy Bridge (22 nm) vilket borde gett en dubbling i transistordensitet. 2600K har 5,37 miljoner transistorer per kvadratmillimeter och 3770K har 8,75 miljoner. Det blev ingen dubbling där inte. Det beror på att en ny nod inte skalar alla delar i alla dimensioner lika mycket. Ibland är det bara vissa delar som de kan förminska medans andra är oförändrade.

Räcker med att de släpper en generation som ger bättre prestanda per krona så kommer de sälja. Historiskt har det varit väldigt få som är särskilt trogna ett visst märke när det gäller grafikkort. Det är primärt pris och prestanda* som spelar roll.

*exakt vad man väljer att läsa in i prestanda varierar från person till person.

Är lite sanning med modifikation att R9 Nano är 30% snabbare än 970. Det stämmer i 4k upplösning men är nog rätt mycket gränsfall om Nano är tillräckligt för detta, i 1920x1080 är ett Nano och ett fabrisköverklockat 970 ungefär lika snabba (om man använder SweC prestandaindex som referens).

Men det stora problemet med R9 Nano är att storleken i praktiken inte är någon direkt fördel. Båda de chassin du nämner tar grafikkort på upp till strax över 30 cm, d.v.s. det är fullt möjligt att få in t.ex. 970 med eftermarknadskylare.

Detta är fallet för i princip alla mini-ITX chassin som fixar att husera CPUer med TDP på strax under 100W och grafikkort på 150-200W. Utan chassifläktar och med Intels standardkylare så kan jag säga att en 5775C (65W TDP) lägger sig permanent på 95ºC när den sitter i ett HTPC-chassi, det helt utan dGPU som genererar värme och med chassi stående fritt i rummet.

D.v.s ska man ha HW kapabel att driva spel kan inte chassit vara mindre än att man får in någon form av chassifläkt modell större (typ 120 mm) samt lite mer kapabel CPU-kylare. I dessa chassin får man typiskt också in "normalstora" grafikkort.

Du tänker helt rätt, men TSMC "16 nm" och Samsungs/GloFo "14 nm" är i praktiken 20 nm + FinFET.

(28*28) / (20*20) = 2

Globalfoundries samarbetade med Samsung tidigare också, och AMD gjorde det i tiotals år. Tidigare har dock AMD valt processer som bara AMD/GloFo haft (AMD tillverkade K8or hos Chartered ett tag, som är uppslukat i GloFo nu), tekniken AMD använde tidigare var till stor del utvecklad av IBM (och Samsung) genom deras samarbete då fabs inte vill stå ensamma med hela kostnaden för utrustning och hela forskningsinsatsen.

Nu har AMD valt att använda en standardprocess för i princip första gången hos GloFo. Processen detta samarbete utvecklade för 32/28 nm användes dock av Samsung, och du kunde tillverka på den hos GloFo i Dresden också trotts att de också hade egen variant av 32 nm SOI osv. Då AMD vill använda standardprocessen behöver inte GloFo utveckla en egen variant av denna för AMD, och inte för andra kunder heller. Hade de varit snabbare med sin egna 14 nm-variant så kanske Samsung istället skulle fått implementera den rakt av. Poängen med samarbetet sedan 32 nm har varit att man ska ha gemensamma verktyg för att designa mot bägge tillverkarna och kunna sourca från bägge, vilket givetvis betyder att de bägge måste implementera samma process. Tidigare samarbeta de inom forskning och utveckling, genom att gemensamt utveckla och köpa in samma maskiner/utrustning osv för att minska andelen för de specialiserade och unika verktyg/utrustning.

ARM har utvecklat IP/macros sedan 2008 för en gemensam 32/28 nm-process som har används av IBM, Chartered, Globalfoundries och Samsung exempelvis. Samsung samarbetade tidigare med Chartered och IBM om 90 nm och 65 nm samt 45 nm, där de också gjorde det möjligt att sourca från flera fabs. Kvar av dessa idag är Globalfoundries och Samsung då IBM (halvledartillverkningen) och CSM uppgått i Globalfoundries. Med IBMs verksamhet och Globalfoundries nya fab i New York kan de mycket väl vara före Samsung med att nå 10 nm, men vem som går i bräschen spelar inte så stor roll när alla bidrar och samma process slutligen hamnar hos både ändå. IBM har gjort en hel del forskning på sub-10 nm. En stor del av den arbetsstyrkan är nu hos GloFo även om IBM också behåller forskning i egen regi när de gick fabless.

Eftersom de samarbetar och kunderna visst ville kunna sourca från bägge så fanns det visst ingen vits i att utveckla konkurrerande lösningar för 14 nm. Även innan de bestämde sig att köra samma plattform hos bägge så forska och utveckla GloFo givetvis med tanke på en FinFET-process och anläggningen de höll på att färdigställa och förbereda för krympt tillverkning är den som kör 14LPP i dagsläget.

Alternativ? Det hade varit IBMs 22 nm, eller UMCs 28 nm i princip. Globalfoundries kommer också med en egen 22 nm FD-SOI redo för produktion nästa år. 14nm är ju en variant på 20 nm-processerna hos GloFo och Samsung så det är i princip bra att 20 nm inte såg mycket användning. Allt har stannat av lite och det kommer ta länge innan vi går under 10 nm.