TSMC laddar för 5 nanometer år 2020

Glädjekalkyl för börsvärdet? Men visst, lycka till TSMC!

Skickades från m.sweclockers.com

Du sa det själv. Ett hinder för kisel. Så de testar andra material helt enkelt.

Skickades från m.sweclockers.com

Hoppas att de får till kretsar med grafen snart då.

Skickades från m.sweclockers.com

Fast de måste börja med framtida tekniker nu. Det är så alla jobbar för att de ska kunna konkurrera. Intel har ju pillat med 10 nm i många år. Det tar så lång tid att utveckla att de måste ligga flera steg i förväg. TSMC har pillat med EUV och andra tekniker för litografier mindre än 10 nm i flera år redan.

Ja, negativa längder är alltid svåra.

Stora hindret verkar vara rent tekniska. Det är galet svårt att massproducera så små saker. Som Aleshi uttryckte sig så är det ju jobbigt när kniven är större än det man ska skära ut. I det här fallet är det ljus som nu måste gå över från UV in gränslandet mot röntgen. Joniserande strålning är inte en jättebra kombination med väldigt små kretsar vilket skapar problem.

En ljusstråle är på kvantmekanisk nivå inte en snäll kontinuerlig våg utan en ström av individuella fotoner. Det är alltså inte en fin solid vattenstråle utan mer ett duggregn med individuella vattendroppar som kommer flygande. De är inte heller helt jämnt utspridda och här stöter man på problemet shot-noise. En yta ska bara träffas av ett visst antal fotoner för skickar man in för mycket så dumpar du för mycket energi på substratet och saker går sönder. Samtidigt måste du ha ett visst antal för att det ska bli exponerat. Problemet här är att den slumpmässiga fördelningen av var fotoner landar gör att man inte kan få så skarpa geometrier som man vill.

Nästa trassel är att bygga en ljuskälla som klarar av att skicka ut EUV (extreme UV). Det fungerar inte med en billig diodlaser utan man måste ta till exotiska lösningar. TSMC har experimenterat med en 300 kW CO₂ laser som belyser en droppe tenn som i sin tor joniseras och skickar ut EUV-ljus. Det var dock bara en experimentuppställning för att testa och 300 kW laser räcker inte på långa vägar för storskalig produktion. Det är lite oklart om de kan få till en tillräckligt stor laser för att det ska vara vettigt att använda den tekniken. Andra förslag är att använda en synkrotron eller pulsade lasrar.

Sen finns det en hel hög andra tekniska problem kvar att lösa. Det är alltså inte bara en fråga om att hitta en lämplig halvledare att bygga med utan även tillverkningstekniken är extremt komplex.

Jag skulle inte bli förvånad om vi blir kvar på 10 nm ett bra tag och istället satsar på mer komplicerade 3D-geometrier för transistorerna. Nu har vi ju finFET och nästa nyckelord att hålla ögonen öppna för är GAAFET (Gate All Around).