Intel Cannonlake på 10 nanometer följs upp av Ice Lake och Tigerlake – 7 nanometer 2020

Tycker man helt skall överge måttet nm (bara PR och skrytsiffra som är dåligt definierad) och istället gå för ett nytt mått på densitet, som tex antalet transistorer per ytenhet eller liknande.

Sant att 386DX i vissa lägen var mer kraftfull, men hade inget med matematikprocessor (FPU) att göra då båda saknar sådan. 386SX hade en 16-bitars databuss medan 386DX hade en 32-bitars databuss. 486SX saknade FPU, eller den hade transistorerna för en sådan men 486DX med defekt FPU kunde säljas som 486SX om kretsen i övrigt var OK.

Tack för förklaringen! Då återstår det att se om TSMC och Samsung kan komma ikapp Intel när det gäller att stoppa in transistorer och hålla nere strömförbrukningen.

Du tänker nog på 486DX (som hade matteprocessor) och 486SX (där matteprocessor var avstängd).

Skillnaden mellan 386DX och 386SX var minnesbussen, 386DX hade 32-bitar bred minnesbuss medans 386SX hade 16-bitar. Var nog bara 24-bitars address-buss på 386SX också men det påverkade inte prestandan och nästan ingen hade mer än 16MB minne ändå på den tiden så det var inget problem.

Så kortvågig strålning är ju väldigt energirik, hur undviker man att slå sönder substratet?

Ja, och sedan blir det ju ytterligare mer komplicerat när vi får allt mer 3D-uppbyggnader i kretsarna.

Är aldrig enkelt att få till helt rättvisa jämförelser.

Dum kommentar, mål måste alltid finnas.

Skickades från m.sweclockers.com

It's All About The Pentiums

Nä, Core är det bästa namnet dom har.

10 nm kommer nog rätt snart med tanke på att både Intel och Samsung räknar med att släppa kretsar nästa år.

Fast 850 är en SSD och NAND har helt andra problem än processorer. En NAND-cell ska hålla en laddning över tid vilket en processor inte ska göra. Det är helt olika mekanismer som gör att NAND skalar sämre på mindre litografier. Samsungs 3D-NAND är för övrigt fortfarande dyrare än vanliga plana designer på 19 och 16 nm. Samsung har också pratar om att flytta över 3D NAND till en nod i 20-nm klassen.

@Yoshman:
En aspekt är att olika litografiska processer optimeras för lite olika användningsområden. Exempelvis har TSMC fem versioner av 28nm: HP (high performance), HPM (high performance mobile), HPC (high performance computing), HPL (high performance low power), and LP (low power). Två nya processer kommer att tas i bruk nu: HPC+ som är en snabbare version av HP och ULP som är ultra-low power.

De har alla olika balans mellan olika egenskaper, vilket är meningsfullt för ett pure-play foundry som skall kunna serva olika kunders behov. Intel har traditionellt inte haft anledning att vara lika breda, och eftersom de stora volymerna för TSMC/Samsung ligger i kisel för mobila användningsområden, medan Intel främst gör x86 processorer för klienter och servrar, så är Intels process mer riktad mot bättre prestanda vid högre frekvenser. (Vilket är en av anledningarna att många undrar över vilka klockfrekvenser AMDs Zen kommer att nå på Samsungs 14nm LPP.)

Å andra sidan så drar hela computing området mot att vara power limited. Så Intel optimerar sin huvudsakliga litografiska process allt närmare mobila processer. Vilket bidragit till att det hänt väldigt lite på frekvenssidan under flera process steg nu för Intels processorer.

Det är oklart om antalet processvarianter kommer att öka eller minska vid en viss nod från 16/14nm och framåt. Det krävs större kretsvolymer för att de nya processerna skall vara ekonomiskt lönsamma per transistor vilket skulle innebära ett mindre antal större kunder, å andra sidan har kretsarna ju också bättre egenskaper.

Intel ligger fortfarande bra till processteknologiskt, men det är också solklart att deras försprång minskat både i tid och rent faktiska egenskapsmässiga fördelar. Grovt uttryckt kan man säga att det kostar allt mer att ligga i framkant för allt mindre faktisk fördel, och intel gör det ekonomiskt rimliga i sitt konkurrensläge.

@EntropyQ3: är medveten om att det finns flera varianter av processen hos kiseltillverkarna, är ju rätt olika krav för en GPU med TDP >200W jämfört med en systemkrets för mobiler.

Ser däremot inte hur Intels försprång skulle ha minskat.

Senaste direkt jämföra övergången var 32nm, då skilde det ca 12 månader från att Intel började få ut produkter på marknaden till dessa att t.ex. AMD fick ut sina.

Det kom ut produkter ungefär samtidigt på 28 nm och 22 nm, lite svårt att säga hur stort försprånget var då man inte längre hade direkt jämförbara noder men Intel hade nu fördel både i täthet OCH man hade gjort övergången till FinFET.

Intel fick ut Core M och vissa andra tvåkärniga modeller med låg TDP på 14nm hösten 2014 och fyrkärniga modeller med TDP runt 100W började hitta ut under sommaren 2015.

Av allt att döma är Intel nu i alla fall en halv tillverkningsnod före de andra + att man tidigare fått ut modeller på marknaden. Alla verkar ännu ha stora problem med "yield" på 14 nm, men Intel verkar ha minst problem.

Är inte lätt att säga exakt hur stort försprång Intel har idag, men det är i alla fall större än vad som var fallet vid 32nm.

@Yoshman:
Tja, Intel fick ut Broadwell ungefär ett halvår innan Samsung fick ut sin 7420. Jag skulle dock misstänka att Intel hade putsat upp yield betydligt mer än Samsung vid respektive lansering. Nu pumpar TSMC och Samsung ut FinFET processorer till Apple och andra i minst samma takt som Intel producerar 14nm CPUer, så säg ett års fördel för intel vid den här noden.

Å andra sidan verkar det inte råda någon tvekan om att avståndet i tid kommer att krympa vid "10nm". Dessutom är förbättringarna i elektriska egenskaper från nod till nod måttliga numera, så vinsten med att ligga lite före i tid är inte så stor. Intels andra generation på 14nm är inte så mycket bättre än andra generationen 22nm, särskilt om man bara ser till de processtekniska vinsterna.

AMD och litografisk processteknik är sin egen sorgliga historia, idag är det Intel, Apple, och i någon mån Samsung som driver steget till nästa nod. Min poäng var att det är helt rimligt att Intel inte pressar på så hårt - motiven är ganska svaga, jämfört med kostnaderna.

Detta håller jag till 100% med om. Läste något om att man passerade "break even" för 22 nm rätt nära lanseringen av 14 nm. Och det trots att 22 nm tydligen ska vara den process med bäst genomsnittlig "yield" någonsin för Intels del.

Tror därför inte man helt överansträngde sig för att pressa ut 10 nm, Kaby Lake fanns nog med i planen längre tillbaka än vad som vi sett utåt. Alla kiseltillverkarna måste helt enkelt stanna längre på varje nod då kostnadsökningarna för varje krympning inte alls kan täckas med högre priser eller högre volymer.

Borde inte Samsungs och Intels 10 nm vara någorlunda jämförbara när de släpps? För jag förutsätter att båda siktar på strömsnåla kretsar i första vågen. Både Samsung och Intel har ju flera gånger sagt att de kommer ha 10 nm på marknaden 2017 och Samsung säger att de räknar med att produktionen drar igång i slutet av 2016. Kan inte påminna mig att jag sett någon mer exakt tidsram från Intel.

@Zotamedu: de blir säker jämförbara, känns som det blir allt färre fördelar med krympningarna för varje gång nu så kvittar nog om det skiljer lite i gate-avstånd och liknande.

För Intel sammanfaller rimligen 10 nm med lanseringen av Cannonlake vilket betyder sent 2017 / tidigt 2018.

För Samsung och TSMC verkar "start av produkt" och "går faktiskt att köpa produkter baserad på noden" ha ungefär ett års latens, men får se om det kommer något på 10 nm från dem under 2017.

Tror att det är ett par stycken i tråden som skulle uppskatta den här sammanställningen jag snubblade över som gäller storleken på en SRAM cell. Fördelen är att man sidsteppar marketing-nm, nackdelen är att all SRAM inte är ekvivalent. Extra varning utfärdas naturligtvis för extrapolerade data.

Intel 22nm = 0.108µm² / 0.092µm² (high density)
TSMC 16nm = 0.07µm² (high density)
Samsung 14nm = 0.080µm² / 0.064µm² (high density)
Intel 14nm = 0.0588µm² / 0.0500µm²
Samsung 10nm = 0.049µm² / 0.040µm²
TSMC 10nm = 0,0364µm²F (high density)
Intel 10nm = 0.0312µm²F / 0,0272µm²F (with assumed 1.84x scaling like 22->14 high density)
TSMC 7nm = 0.0207µm²F (high density / -43%)

Jo det verkar vara mer och mer prestige och PR än faktisk nytta med nya noder nu. Var det inte ARM som sa att de inte såg någon större vinst med att gå under 28 nm?

Finns ju möjlighet att Samsung säljer produktion också så att vi ser produkter från andra håll. Eller håller de hårt i första omgången för att kunna skryta lite mer i reklamutskicken? Jag följer inte den mobila sidan så noga.

Jo jag har en känsla av att det mer handlar om stolthet och PR än faktisk nytta men det är ju inte så mycket man kan göra. Vi kommer inte så mycket längre med arkitekturerna, i alla fall inte på generella problem. Vi kan inte krympa mer och för tillfället finns inga ekonomiskt realistiska alternativ till kisel. Som jag nämnt tidigare har jag en känsla av att vi får se nya mer komplicerade 3D-strukturer på transistorerna i nästa steg. FinFET är ju en enkel uppdatering av vanliga plana transistorer. Så nästa omgång blir kanske någon form av Gate All Around.

Tack så mycket för den informationen.