Intel och 45 nanometers tillverkningsprocess

fel det har ingenting med mellanrummet av transistorerna att göra.. det är våglängden på den elektro magnetiska ``strålingen som bränner fast transistorerna på chip plattan..

Ojoj...

Det verkar som det är dags att klargöra vad 45nm egentligen betyder.
45nm är namnet på tillverkningsteknologin, som i sin tur definieras av "DRAM half-pitch", dvs. avståndet mellan två DRAM celler tillverkade i den aktuella teknologin.
För äldre (större) teknologier var detta avstånd samma som gatelängden i transistorn men pga diverse tillverkningsknep är gatelängden i en 45nm transistor ca 25nm.
Med "high-k" menas det isolerande materialet som ligger mellan gaten och kanalen i transistorn. K är dielektricitetskonstanten för isolatorn, tidigare har man använt ren kiseldioxid, SiO2 men nu används en blandning av SiO2, kväve och Hafnium som har en högre dielektricitetskonstant, därav "high-k".

Sådär, lite halvledarteknik...