Samsung 840 EVO och 840 lider av degraderad läspreastanda med tiden

Permalänk
Medlem
Skrivet av Twoedge:

Som jag ser det så är problemet TLC-celler , antagligen så läcker cellen spänning beroende på något (jag vet inte vad).

En orsak kan ju vara att cellerna ligger för nära varandra , för jag vill minnas att Intel hade vissa problem när man gick ner i storlek till 16nm.

Då kommer min oro fram lite . Hur påverkad är V-nand , alltså Samsung 850pro av detta ?
Det är visserligen MLC-celler som används , men finns det något som tyder på att där finns problem med denna disk ?
Det är kanske för tidigt att komma med några resultat om det.

850Pro är inne på andra generationen VNAND. TLC diskarna är fortfarande på första.
VNand som 850Pro använder är typ 3Xnm (närmare 40nm tom) och 840 TLC är väl 19nm vill jag minnas.
Samsung har dessutom ändrat HUR man lagrar dessa elektroner.
De jämför det med en hink vatten (elektroner) för "vanliga" NAND och ost med hål i för elektronerna VNAND.

Kort sagt, minsta lilla spricka i isoleringen (som sker när man skriver med hög spänning) så tappar vanlig NAND sin spänning.
Men sprickan i "osten" måste vara exakt vid en elektron för att den ska tappas. Och då tappas BARA den Sen eftersom isoleringen kan göras tjockare och elektronerna ligga nära kanten utan problem så tål den dessutom mer, och du behöver mindre spänning.
Detta gör att det skrivs snabbare och enklare.
Resultatet? En NAND krets som enligt Samsungs tester har klarat ÖVER 30k skrivningar i MLC läge, och fungerar än... (jämfört med ca 3k i dagens bästa)

Kort sagt... 850 Pro disken är en ny era, där flash verkligen kan ersätta hårddiskar även i den där skrivtunga operationen.

Permalänk
Medlem
Skrivet av anon200632:

Man ska ju inte reklamera när det är så här då det inte är något fel på disken, bara en bugg.
Rensar du disken och installerar om är den som ny igen med full speed.

Kommer en uppdatering snart som fixar detta.

Som jag skrev, om uppdateringen inte avhjälper felet så har man rätt att lämna igen disken. Isåfall rör det sig om hårdvarufel, om det sedan beror på TLC tekniken eller inte bryr jag mig inte om. Har betalt för en fungerande disk, inte en disk som dramatiskt tappar i prestanda efter några månader. Naturligtvis ska man inte behöva formatera om den, vad är det för trams? Självklart man ska kunna ha alla sina filer lagrade utan att riskera degradering i prestanda. Fick svar idag från Inet förresten, först kommer man testa med firmware uppdateringen och hjälper den inte kan man behöva reklamera disken. Inget konstigt, har ju 3 års garanti.

Visa signatur

Gigabyte G1 Sniper Z87| I7 4770K @ 3,5 (Haswell)| 16GB A-Data 1600MHz CL9| MSI GeForce GTX 1080 Gaming X| Samsung SSD EVO Basic 840-Series 250GB + Seagate 2 TB 7200Rpm| Corsair RM 750W 80+ Gold Modulär| Fractal Design Define R4|

Permalänk
Medlem
Skrivet av Paddanx:

850Pro är inne på andra generationen VNAND. TLC diskarna är fortfarande på första.
VNand som 850Pro använder är typ 3Xnm (närmare 40nm tom) och 840 TLC är väl 19nm vill jag minnas.
Samsung har dessutom ändrat HUR man lagrar dessa elektroner.
De jämför det med en hink vatten (elektroner) för "vanliga" NAND och ost med hål i för elektronerna VNAND.

Kort sagt, minsta lilla spricka i isoleringen (som sker när man skriver med hög spänning) så tappar vanlig NAND sin spänning.
Men sprickan i "osten" måste vara exakt vid en elektron för att den ska tappas. Och då tappas BARA den Sen eftersom isoleringen kan göras tjockare och elektronerna ligga nära kanten utan problem så tål den dessutom mer, och du behöver mindre spänning.
Detta gör att det skrivs snabbare och enklare.
Resultatet? En NAND krets som enligt Samsungs tester har klarat ÖVER 30k skrivningar i MLC läge, och fungerar än... (jämfört med ca 3k i dagens bästa)

Kort sagt... 850 Pro disken är en ny era, där flash verkligen kan ersätta hårddiskar även i den där skrivtunga operationen.

840 använder 21nm TLC NAND och 840 EVO använder 19nm NAND.
Det faktum att mina 840 tar 10-11 månader på sig att degradera till 230MB/sek och ena jag testat som är 1.5 år har degraderat till ca 50MB/sek medans 840 EVO är nere på 50MB/sek i princip överalt efter 5 månader och det verkar börja redan efter en månad tyder på att äldre 840 med 21nm NAND inte degraderar lika fort. Från vad jag sett av andra 840 äger så tar deras också lägre tid att degradera till samma nivåer gämfört med 840 EVO.

Så nej TLC NAND är inne på andra generationen och den verkar inget bättre.

Permalänk
Medlem
Skrivet av Paddanx:

850Pro är inne på andra generationen VNAND. TLC diskarna är fortfarande på första.
VNand som 850Pro använder är typ 3Xnm (närmare 40nm tom) och 840 TLC är väl 19nm vill jag minnas.
Samsung har dessutom ändrat HUR man lagrar dessa elektroner.
De jämför det med en hink vatten (elektroner) för "vanliga" NAND och ost med hål i för elektronerna VNAND.

Kort sagt, minsta lilla spricka i isoleringen (som sker när man skriver med hög spänning) så tappar vanlig NAND sin spänning.
Men sprickan i "osten" måste vara exakt vid en elektron för att den ska tappas. Och då tappas BARA den Sen eftersom isoleringen kan göras tjockare och elektronerna ligga nära kanten utan problem så tål den dessutom mer, och du behöver mindre spänning.
Detta gör att det skrivs snabbare och enklare.
Resultatet? En NAND krets som enligt Samsungs tester har klarat ÖVER 30k skrivningar i MLC läge, och fungerar än... (jämfört med ca 3k i dagens bästa)

Kort sagt... 850 Pro disken är en ny era, där flash verkligen kan ersätta hårddiskar även i den där skrivtunga operationen.

Jo förvisso, men problemet var ju nu inte direkt hur skrivtålig NAND kretsen var, utan om den håller informationen bättre utan att tappa prestanda.

Visa signatur

Antec P180/ Asus A8N-E / A64 X2 3800+ / 2x512 Corsair value select / Gainward GS 7800GT /SB audigy 2 /Antec neopower 480W

Permalänk
Hedersmedlem
Skrivet av Twoedge:

Jo förvisso, men problemet var ju nu inte direkt hur skrivtålig NAND kretsen var, utan om den håller informationen bättre utan att tappa prestanda.

Exakt. Många verkar blanda ihop skrivtålighet med hur ett specifikt NAND håller laddning och blir svårare att läsa över tid. Dessa två samverkar förvisso till viss del och därför kommer TLC att bli mer svårläst snabbare än MLC pga slitage. Även om 19nm TLC har tillräcklig skrivtålighet så kanske Samsung gjort något fatalt misstag i fabrikationen som gör att det tål lika många skrivningar men tappar laddning rekordfort. pa1983s inlägg tyder ju på det.

Visa signatur

W10, Intel 5820K, Asus X99-S, Crucial DDR4 2133MHz 32GB, Sapphire 290X Tri-X, Intel 730 SSD, WD Black+Green+HGST, Silverstone FT02, Corsair AX1200, Corsair K90, Logitech MX518, Eizo 2736w, Eaton 5115 UPS. Pixel 7 pro

Permalänk
Medlem

Jag har också fått det förtydligat från några källor att Samsung bara bekräftat en fix för 840 EVO så vi som har 840 kan bli utan fix om samsung inte tänkt släppa en för 840 serien.

Så tyvärr är det limbo för flera av oss fortfarande.
Hoppas sweclockers kan få fram ett förtydligande från Samsung om 840.

Permalänk
Hedersmedlem
Skrivet av pa1983:

Jag har också fått det förtydligat från några källor att Samsung bara bekräftat en fix för 840 EVO så vi som har 840 kan bli utan fix om samsung inte tänkt släppa en för 840 serien.

Så tyvärr är det limbo för flera av oss fortfarande.
Hoppas sweclockers kan få fram ett förtydligande från Samsung om 840.

Jag kan minnas fel men är det inte så att enbart Evo har det extra specialcacheminnet och man därför kan anta att de tänker dölja eventuella TLC-problem bakom förändringar i användningen av det? Om 840 saknar cacheminnet så finns det inget de kan göra för den modellen? Hursomhelst är det ingen "riktig" fix i så fall, utan enbart plåster på en varböld.

Edit: TurboWrite heter det som enbart Evo har: http://www.pcper.com/news/Storage/New-Samsung-840-EVO-employs...

Visa signatur

W10, Intel 5820K, Asus X99-S, Crucial DDR4 2133MHz 32GB, Sapphire 290X Tri-X, Intel 730 SSD, WD Black+Green+HGST, Silverstone FT02, Corsair AX1200, Corsair K90, Logitech MX518, Eizo 2736w, Eaton 5115 UPS. Pixel 7 pro

Permalänk
Medlem

Trubowrite är ju för skrivningar, 4.5GB TLC går åt för 1.5GB SLC för varje 120GB om jag mins rätt.
Men det kan ju inte dölja läsningar utan det är ju bara en skrivbuffert. Disken skriver till SLC delen som i sin tur dumpar över till TLC delen av NAND'et och hinner den inte dumpa fort nog om man skriver mycket data så till slut dimper prestandan ner abrupt. Tror 120Gb modellen klarar 450MB/sek så länge TLC bufferten räcker men sedan dimper till 150MB/sek.

Så kan inte se hur dom använda det för att lösa läsproblem.

Eftersom TLC nandet kan operera i SLC läge och säkert MLC med då, har ju bara med spännigsnivåer att göra så skulle väl i teorin 840 kunna stödja turbowrite med men det är ju frågan om kontrollern och hårdvaran var designad så att det är möjligt.

Utan att vara nån expert har jag svårt att inte se varför. Lägsta spännigsnivå för 0 och högsta för 1 och skippa alla därimellan, firmwaren skulle ju sedan kunna hålla reda på vilka LBA's som ska vara SLC turbo write cache och villka som är användbara för användaren i TLC läge. Men uppgradera 840 till EVO spec är väl inget samsung vill utan dom vill väl att man köper en 840 EVO och uppgraderar.

Men som sagt det är bara en skrivbuffert så ser inte hur det kan hjälpa.

Permalänk
Hedersmedlem
Skrivet av pa1983:

Trubowrite är ju för skrivningar, 4.5GB TLC går åt för 1.5GB SLC för varje 120GB om jag mins rätt.
Men det kan ju inte dölja läsningar utan det är ju bara en skrivbuffert. Disken skriver till SLC delen som i sin tur dumpar över till TLC delen av NAND'et och hinner den inte dumpa fort nog om man skriver mycket data så till slut dimper prestandan ner abrupt. Tror 120Gb modellen klarar 450MB/sek så länge TLC bufferten räcker men sedan dimper till 150MB/sek.

Så kan inte se hur dom använda det för att lösa läsproblem.

Eftersom TLC nandet kan operera i SLC läge och säkert MLC med då, har ju bara med spännigsnivåer att göra så skulle väl i teorin 840 kunna stödja turbowrite med men det är ju frågan om kontrollern och hårdvaran var designad så att det är möjligt.

Utan att vara nån expert har jag svårt att inte se varför. Lägsta spännigsnivå för 0 och högsta för 1 och skippa alla därimellan, firmwaren skulle ju sedan kunna hålla reda på vilka LBA's som ska vara SLC turbo write cache och villka som är användbara för användaren i TLC läge. Men uppgradera 840 till EVO spec är väl inget samsung vill utan dom vill väl att man köper en 840 EVO och uppgraderar.

Men som sagt det är bara en skrivbuffert så ser inte hur det kan hjälpa.

En stor del av lösningen måste rimligen vara att de ökar TLC-omskrivningarna och då kommer turbowrite ha stor betydelse för hur disken upplevs i praktiken, kanske även livslängden eftersom turbowrite gör att de kan skriva snällare och under mindre tidspress än utan funktionen. Antagligen riskerar också 840 utan turbowrite att slöas ned kraftigt om den samtidigt måste flytta runt celler och programmera om för att inte tappa i hastighet på gammal data.

Visa signatur

W10, Intel 5820K, Asus X99-S, Crucial DDR4 2133MHz 32GB, Sapphire 290X Tri-X, Intel 730 SSD, WD Black+Green+HGST, Silverstone FT02, Corsair AX1200, Corsair K90, Logitech MX518, Eizo 2736w, Eaton 5115 UPS. Pixel 7 pro

Permalänk
Medlem
Skrivet av pa1983:

840 använder 21nm TLC NAND och 840 EVO använder 19nm NAND.

Ahh, my bad. Hade missat att första 840 hade 21nm. Själva EVO delen var ju egentligen bara "cachen", så vidare ny disk är det inte. Men visst har de bytt flash till mindre storlek som du säger.

Skrivet av pa1983:

Det faktum att mina 840 tar 10-11 månader på sig att degradera till 230MB/sek och ena jag testat som är 1.5 år har degraderat till ca 50MB/sek medans 840 EVO är nere på 50MB/sek i princip överalt efter 5 månader och det verkar börja redan efter en månad tyder på att äldre 840 med 21nm NAND inte degraderar lika fort. Från vad jag sett av andra 840 äger så tar deras också lägre tid att degradera till samma nivåer gämfört med 840 EVO.

Att de äldre 21nm får fel långsammare än 19nm är precis det problemet jag förklarade ovan. Färre elektroner, mindre toleranser. Nu verkar dessa ha börjat nå problem stadiet, och fortsätter de envisas att göra mindre så kommer MLC att få liknande problem.

Skrivet av pa1983:

Så nej TLC NAND är inne på andra generationen och den verkar inget bättre.

Notera skillnaden mellan VNAND gen 1 och 2, och "vanligt 2D" NAND. 21nm->19nm, mindre och färre elektroner, som leder till de problemen du beskriver sker fortare, då marginalerna minskar.
VNAND så gör man det fortfarande på 30-40nm, men man lägger bara till fler lager. (24 i gen 1, 32 i gen 2), och man har bara börjat på den teknikens möjligheter. De har redan planer på 100+ lager, dvs tänk 1Tbit flash chip, 8 chip på varje krets, och 4-8 st i en SSD så har du en 4-8TB SSD... Vem vill ha hårddisk?

Föreslår om du vill läsa lite mer om själva principen att du tittar på denna:
http://www.anandtech.com/show/8216/samsung-ssd-850-pro-128gb-...
De förklarar varför denna tekniken är så användbar, varför VNAND har en enormt bra framtid och skillnader mellan.

Tex får man lite rysningar när man tänker på detta:
"To put this into perspective, Toshiba's and SanDisk's 15nm NAND is stores less than 20 electrons per NAND cell."
20 elektroner som ska avgöra om det är 00, 01, 10, 11. Det är inte mycket marginal att leka med precis. Dessa sitter i allas nya favorit, Crucial MX100 disken.

Permalänk
Medlem
Skrivet av Paddanx:

Tex får man lite rysningar när man tänker på detta:
"To put this into perspective, Toshiba's and SanDisk's 15nm NAND is stores less than 20 electrons per NAND cell."
20 elektroner som ska avgöra om det är 00, 01, 10, 11. Det är inte mycket marginal att leka med precis. Dessa sitter i allas nya favorit, Crucial MX100 disken.

Crucial använder deras egna NAND (Micron) till MX100, 256GB och 512GB 16nm och 128GB 20nm.

Permalänk
Medlem

Här är min jämförelse, första bilden är hur det såg ut för 7 månader sedan, den andra är testet jag gjorde nyss.

http://i.imgur.com/i21d7qc.jpg

Permalänk
Skrivet av Chromatic:

Här är min jämförelse, första bilden är hur det såg ut för 7 månader sedan, den andra är testet jag gjorde nyss.

http://i.imgur.com/i21d7qc.jpg

Det jag reagerar på är att du har exakt lika mycket ledigt utrymme då som nu. Har du inte använt dig av hårdisken alls under den tiden?

Permalänk
Medlem

Ganska intresant att veta att JEDEC specifikationerna för SSD enheter säger att data ska vara läsbart i minst 12 månader för konsumentenheter vid lagringstemperatur om 30C och 3 månader vid 40C för enterprise.
Vi vet redan att enheter kommer få bitröta då all form av FLASH lagring även gamla EPROM tappar data efter 20 år (praktiken klarar många mer än så, gamla retrosystem etc) och måste flashas om.

Vill minnas att en del GEN1 och GEN2 enheter med 100K eller 10K PE cyklar hade ca 10 år lagringstid.

Kan undra vad det är på samsungs TLC nand. Med tanke på att enheter och NAND blir rätt varmt så bör data med tiden få bitröta om den inte flyttas regelbundet oavset NAND typ.

Kanske vore bra om SSD tillverkare JEDEC klassade sina enheter så man vet vad man får.
http://www.jedec.org/sites/default/files/Alvin_Cox%20%5BCompa...

Permalänk
Inaktiv
Skrivet av Chromatic:

Här är min jämförelse, första bilden är hur det såg ut för 7 månader sedan, den andra är testet jag gjorde nyss.

http://i.imgur.com/i21d7qc.jpg

Du har alltså inte använt disken alls på sju månader?

Permalänk
Medlem
Skrivet av anon114264:

Du har alltså inte använt disken alls på sju månader?

Beror på vad du menar med att han inte använt den. Har man OS och vissa program/spel installerade använder man ju disken varje gång man startar upp datorn.

Visa signatur

|AMD Ryzen 9 5900X| |ASUS ROG Strix B550-F| |Crucial Ballistix 32GB CL16@3600MHz| |PNY RTX 4090 XLR8 Gaming| |Samsung 990 Pro 2TB| |Samsung 970 Evo Plus 1TB| |Samsung 860 Evo 1TB| |Corsair RM1000| |Fractal Design Define R5| |LG OLED 48" C2 Evo|

Permalänk
Inaktiv
Skrivet av Devil May Cry:

Beror på vad du menar med att han inte använt den. Har man OS och vissa program/spel installerade använder man ju disken varje gång man startar upp datorn.

Mycket tveksamt då den inte enligt magician har skrivit något alls på sju månader.

Permalänk
Medlem
Skrivet av pa1983:

Kanske vore bra om SSD tillverkare JEDEC klassade sina enheter så man vet vad man får.
http://www.jedec.org/sites/default/files/Alvin_Cox%20%5BCompa...

Intel gör väl det. Samsung hade ingen som helst teknisk dokumentation för sina konsumentenheter sist jag tittade (men det var på 830-tiden).

Visa signatur

Main Core i9-9900k | NH-D15 | ROG STRIX Z390-F | 16GB DDR4 3200 MHz LPX | STRIX 2080 Ti GAMING OC | Samsung 970 EVO 1TB + Toshiba XG5 256GB | RM650X | R5 Blackout
HTPC/Barndator: Core i5-8400 | ASUS PRIME B360M-A | 16GB DDR4 2666 MHz | STRIX GTX 1070 OC | 2 x Toshiba XG5 256GB
Extradator: Core i7 870 | ASRock H55M-LE | 8GB 1600 MHz | Intel 320 120GB | HD6950 2GB | VX 550W

Permalänk
Medlem
Skrivet av pa1983:

Ganska intresant att veta att JEDEC specifikationerna för SSD enheter säger att data ska vara läsbart i minst 12 månader för konsumentenheter vid lagringstemperatur om 30C och 3 månader vid 40C för enterprise.
Vi vet redan att enheter kommer få bitröta då all form av FLASH lagring även gamla EPROM tappar data efter 20 år (praktiken klarar många mer än så, gamla retrosystem etc) och måste flashas om.

Vill minnas att en del GEN1 och GEN2 enheter med 100K eller 10K PE cyklar hade ca 10 år lagringstid.

Kan undra vad det är på samsungs TLC nand. Med tanke på att enheter och NAND blir rätt varmt så bör data med tiden få bitröta om den inte flyttas regelbundet oavset NAND typ.

Kanske vore bra om SSD tillverkare JEDEC klassade sina enheter så man vet vad man får.
http://www.jedec.org/sites/default/files/Alvin_Cox%20%5BCompa...

Rätta mig om jag har fel. Men samtliga 840 har väl kunnat läsas? Även de som legat på hylla i 1 år+.
Vet inget fall där de inte kunnat kopiera eller använda sin information iaf. Mina egna där ena legat ca 6-7 månader hade inga problem att läsa något iaf, dock med lägre hastighet.
Så "tekniskt sett" så följer de då denna specifikation.

Sen att hastigheten på det är urusel och totalt oacceptabel är väl ingen diskussion om.

Oavsett så får vi se om ca 2-3 veckor vad för ändringar de gjort och om det fungerar som det ska.

Permalänk
Medlem
Skrivet av Flexiblus:

Det jag reagerar på är att du har exakt lika mycket ledigt utrymme då som nu. Har du inte använt dig av hårdisken alls under den tiden?

Det har skett ett litet missförstånd här tror jag, dom siffrorna där uppe är inte från "Då" och "Nu" utan dom är från samma, men testet som du ser där nere, det stog kvar från 7 månader sedan, efter som jag inte har kört benchmarken sedan dess, därför så tog jag bara ett screenshot och sen så gjorde jag en ny benchmark, båda bilderna är alltså "lika gamla" så att säga.

Vet att det låter lite flummigt dock

Permalänk
Medlem
Skrivet av Paddanx:

Rätta mig om jag har fel. Men samtliga 840 har väl kunnat läsas? Även de som legat på hylla i 1 år+.
Vet inget fall där de inte kunnat kopiera eller använda sin information iaf. Mina egna där ena legat ca 6-7 månader hade inga problem att läsa något iaf, dock med lägre hastighet.
Så "tekniskt sett" så följer de då denna specifikation.

Sen att hastigheten på det är urusel och totalt oacceptabel är väl ingen diskussion om.

Oavsett så får vi se om ca 2-3 veckor vad för ändringar de gjort och om det fungerar som det ska.

Det är fortfarande intresant beroende på användarscenario. Sedan borde logiskt sett nand som används påverkas om data inte skrivs om heller. Kan förklara varför Samsungs 840 series påverkas madens intel mer aggressiva Ware leveling skriver om redan lagrad data i princip så fort användaren skriver ny data också.

Permalänk
Medlem
Skrivet av anon114264:

Mycket tveksamt då den inte enligt magician har skrivit något alls på sju månader.

Du förstår fortfarande inte. Att skriva till sin disk kontinuerligt är inte ekvivalent med att inte använda den.

Ville mest påpeka det. Men struntsumma, inget vi behöver diskutera egentligen.

Visa signatur

|AMD Ryzen 9 5900X| |ASUS ROG Strix B550-F| |Crucial Ballistix 32GB CL16@3600MHz| |PNY RTX 4090 XLR8 Gaming| |Samsung 990 Pro 2TB| |Samsung 970 Evo Plus 1TB| |Samsung 860 Evo 1TB| |Corsair RM1000| |Fractal Design Define R5| |LG OLED 48" C2 Evo|

Permalänk
Inaktiv
Skrivet av Devil May Cry:

Du förstår fortfarande inte. Att skriva till sin disk kontinuerligt är inte ekvivalent med att inte använda den.

Ville mest påpeka det. Men struntsumma, inget vi behöver diskutera egentligen.

Ja ditt påstående stämmer såvida han "inte" kör den som systemdisk. Kör han den som systemdisk så har han "inte" använt den.

Permalänk
Medlem
Skrivet av anon114264:

Ja ditt påstående stämmer såvida han "inte" kör den som systemdisk. Kör han den som systemdisk så har han "inte" använt den.

Båda skärmdumparna är från nutid, men det testresultat som finns med i första dumpen gjordes i februari och står då kvar i programmet tills han gör ett nytt i skärmdump 2.

Permalänk
Medlem

Och det senaste firmware som gäller just nu är EXT0BB6Q ?
(Mitt s/n S1D5NSBDB81257E)
840Evo 120Gb Jobbdatorn 7 månader

Ingen skillnad syns på Samsungs egna mjukvara, linjära läshastigheten har tillochmed ökat med 2mb/s.
IOPS har minskat med 3000

Visa signatur

GA-Z97P-D3 | i5-4690K | 8Gb DDR3 | Gigabyte GTX 1050Ti | Samsung 850EVO 250Gb
Kylare: CPU: CM TX3 EVO3 | PSU: Silver Power SP-S460FL (Passiv)
Lur: OnePlus Nord | NAS: Synology 211j + Ett antal Hemmabygge

Permalänk
Medlem
Skrivet av Provetector:

Ingen skillnad syns på Samsungs egna mjukvara, linjära läshastigheten har tillochmed ökat med 2mb/s.
IOPS har minskat med 3000

Det är inte max-hastigheten som är intressant utan min-hastigheten.

Visa signatur

Main Core i9-9900k | NH-D15 | ROG STRIX Z390-F | 16GB DDR4 3200 MHz LPX | STRIX 2080 Ti GAMING OC | Samsung 970 EVO 1TB + Toshiba XG5 256GB | RM650X | R5 Blackout
HTPC/Barndator: Core i5-8400 | ASUS PRIME B360M-A | 16GB DDR4 2666 MHz | STRIX GTX 1070 OC | 2 x Toshiba XG5 256GB
Extradator: Core i7 870 | ASRock H55M-LE | 8GB 1600 MHz | Intel 320 120GB | HD6950 2GB | VX 550W

Permalänk
Medlem
Skrivet av pa1983:

Det är fortfarande intresant beroende på användarscenario. Sedan borde logiskt sett nand som används påverkas om data inte skrivs om heller. Kan förklara varför Samsungs 840 series påverkas madens intel mer aggressiva Ware leveling skriver om redan lagrad data i princip så fort användaren skriver ny data också.

Hmm. Vänta nu här. Du menar som Intel 530 disken gör?
Låter faktiskt vettigt. Även om det är skrämmande att 20nm MLC ska ha det problemet, men din teori låter vettig.

Önskar att Intel hade bara sagt det om så är fallet. För det som oroa mig med Intel 530 var just att den skrev och skrev, men jag vet inte varför. Även om den spottar ut 3TB / år extra så påverkar det knappt livslängden, men om det är en bugg så vet jag ju inte vad som kan ske.

Permalänk
Inaktiv
Skrivet av Frispel:

Båda skärmdumparna är från nutid, men det testresultat som finns med i första dumpen gjordes i februari och står då kvar i programmet tills han gör ett nytt i skärmdump 2.

Nej det där stämmer inte. Du kan inte få upp tidigare resultat genom att välja Disk Drive och sedan Perfomance Test --> Details. Du får endast upp det senaste körda. För att få tidigare måste man gå Perfomance Benchmark --> History.

Edit: Glöm mitt inlägg förresten. Kom på att han kanske gjorde ett screenshot först och sedan körde ett nytt Benchmark test varav han fick lägre resultat.

Permalänk
Medlem
Skrivet av anon114264:

Nej det där stämmer inte. Du kan inte få upp tidigare resultat genom att välja Disk Drive och sedan Perfomance Test --> Details. Du får endast upp det senaste körda. För att få tidigare måste man gå Perfomance Benchmark --> History.

Edit: Glöm mitt inlägg förresten. Kom på att han kanske gjorde ett screenshot först och sedan körde ett nytt Benchmark test varav han fick lägre resultat.

Han förklarade det bättre än mig, men ja, glad att vi lyckades lösa mysteriet! XD

Permalänk

Jag har en Samsung 840 Evo M-sata
är jag drabbat eller hur ligger det till har dom släppt någon update?