45nm, 60nm, 90nm Skillnad?

afaik, krypning av transistorer, dvs man får plats med fler på samma utrymme.
fördelar, billigare att tillverka samt kallare i drift.

Nja, rent generellt är det väl så.. Men ingen regel utan undantag.. Kom ihåg P4 prescott när den kom.

Mindre effektåtgång per transistor kanske.

kort avstånd + hög spänning = överslag

tror 45nm är avståndet mellan 2st ledare (väldigt osäker på detta)

den sjunkande effektförbrukningen kommer av att de sänker matningspänningen till processorn vid lägre tillverkningsteknik.

Låt oss säga att processor 1 och 2 är av samma typ men har olika matningspänning.
Ex. processor1 drar 30A vid 1.5V -> 30x1.5=45W
Ex. processor2 drar 30A vid 1.0V -> 30x1.0=30W

Om du har två kompisar, den ena bor 200 meter från dig medan den andre bor granne. Det tar då inte alls lika lång tid för dig att besöka grannen som det gör att besöka vännen som bor 200 meter bort.

Prescott var svalare än vad den hade varit på 0.13µ. Det var alla miljoner med extratransistorer som arbetade konstant som gjorde den varmare. Dothan är ett bevis på att det inte var tillverkningsprocessen det var fel på.

Ren spekulation, offtopic och irrelevant..
Prescotten utvecklade mer värme än den tidigare Northwooden, vilket var vad jag avsåg med mitt inlägg.

Jag har bara gjort layout i en 0.35um process och i det fallet var det kanallängden (dvs typ hur långt transistorerna behöver färdas i halvledaren) som var 0.35.
Skulle gissa på att en process inte namnges efter samma mått varej gång utan man pressar allt så långt man klarar och tar namnet efter vad som blir bra.

Fördelar: Strömmen som måste flyta för att växla värde på noder (1-0/hög-låg) beror på kapacitansen till massa olika ställen. Mindre prylar->mindre kapacitans->mindre ström.

Nackdelar: Ju tätare saker sitter desto mer läckage blir det. En modern processor drar "massa" ström även om den inte används för att utföra saker just pga allt tomgångsläckage.

Klart prescott var varmare. Men tillverkningsprocessen var svalare.