RERAM, eller Resistive Random Access Memory kallas en teknik som kan komma att ersätta dagens NAND-flash. Världens tredje största minnestillverkare Elpida samarbetar med Sharp för att ta RERAM-baserade kretsar till marknaden.
Den nya minnestekniken lovar hela 10 000 gånger högre skrivhastigheter än NAND-flashminne som bland annat används i dagens SSD-enheter. Dessutom är strömförbrukningen i standby-läge nära noll.
RERAM baseras på memristorn som bland annat Hewlett-Packard arbetat med att utveckla. När spänning passerar memristorn byter den fas och även resistans. Denna resistans kan sedan mätas för att upptäcka om en etta eller nolla är nedsparad.
Massproduktionen av RERAM-baserade kretsar beräknas dra igång om cirka tre år.
