Det har länge talats om möjligheten att stapla kretsar på varandra för att förkorta ledningsbanor, ge högre överföringshastigheter och inte minst spara in på utrymme. Hittills har dock rent praktiska bekymmer satt käppar i hjulen, exempelvis komplicerad tillverkningsprocess och problem med värmeavledningen.
Nu avslöjar IBM att företagets tillverkningsprocess TSV (through-silicon vias) ska användas för att ta Microns minnesteknik Hybrid Memory Cube till marknaden. Det hela handlar om en ny typ av DRAM-minne som ska kunna uppnå hastigheter 15 gånger högre än med dagens teknik, använda 70 procent mindre energi i dataöverföringen och samtidigt vara 90 procent mindre än traditionella minnesenheter.
IBM kommer presentera TSV-tekniken på IEEE International Electron Devices Meeting den 5 december i Washington, USA. Än så länge talas det dock inte om när färdiga produkter kan finnas ute på marknaden.
