Intel och Micron satsar på att ligga i framkant inom flashminnestekniken (NAND), minneskretsar som bland annat används i SSD-enheter, minneskort och USB-minnen. I samägda IMFT har Micron tagit över den större delen av tillverkningen och massproducerar nu flashminnen i 20 nanometer med TLC-teknik.
Med hjälp av TLC (triple level cell) rymmer Microns senaste krets 128 gigabit (16 gigabyte) på en yta av 146 mm². Det här är över 25 procent mindre än företagets egna MLC-krets (multi level cell), som tillverkas med samma 20 nanometerteknik. Kretsen riktas främst mot marknaden för minneskort och USB-minnen, men användning i framtida SSD-enheter kan inte uteslutas.
Den stora majoriteten av dagens flashminnen baseras på MLC, som klarar av att lagra två bitar data per minnescell. TLC går steget längre genom att lagra tre bitar per cell, vilket innebär mer lagringsutrymme på mindre yta, vilket reducerar tillverkningskostnaderna. Nackdelen är lägre prestanda och hållbarhet, men tekniken är tillräckligt tillförlitlig för att beräknas stå bakom 35 procent av all levererat flashminne (räknat i antalet gigabyte) under 2013.
Massproduktionen av den nya kretsen kommer inledas under årets andra kvartal.
