Efter en rad uppmärksammade förseningar är Intels senaste arkitektur Broadwell med dess 14 nanometersteknik lanserad. Under IDF 2014 riktas istället blickarna mot framtida noder, där det traditionsenligt handlar om fler transistorer på en mindre yta med högre prestanda och energieffektivitet.

Intels Mark Bohr, chef över Intels tillverkningsdivision, har tidigare uttalat sig om att 10 nanometer är i slutskedet av utvecklingen. Tillverkningstekniken kommer använda klassiska litografiska verktyg och samtidigt väntar sig Intel en relativt smärtfri övergång efter erfarenheterna från 14 nanometer.

Den framtida tillverkningstekniken är att vänta i slutet av 2016 eller början av 2017 och förutsatt att Intel håller schemat anländer 7 nanometer runt två år därefter. Här kommer Intel i teorin kunna fyrdubbla antalet transistorer på en given yta jämfört mot purfärska 14 nanometer.

Den avlägsna tillverkningsnoden är dock fortfarande i utvecklingsstadiet och Intel varnar för att det finns flera hinder på vägen. Framförallt sätter den ständigt försenade tekniken EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) käppar i hjulen, vilket kan tvinga halvledarjätten att använda nuvarande litografiska tekniker. EUV skulle kunna ersätta så kallad multiple patterning och därmed reducera de litografiska stegen, vilket skulle sänka tillverkningskostnaderna.

Intel belyser samtidigt att det är just ekonomin, snarare än tekniska utmaningar, som är det största orosmolnet. För det första väntas teknikens yield, antalet fungerande kretsar ur produktion, bli låg och det är även oklart hur det blir med kretsarnas livslängd. Med andra ord riskerar produktionsvolymen bli för låg för att göra övergången ekonomiskt försvarbar, i alla fall inledningsvis.