Koreanska Samsung skördar framgångar på marknaden för kontraktstillverkning av halvledare. Det här till följd av en snabb övergång till 14 nanometer med Finfet, så kallade 3D-transistorer, som är nästa stora plåster för att hålla strömläckage till ett minimum och därmed också den färdiga produktens strömförbrukning.
Samtidigt arbetar huvudrivalen TSMC febrilt på sin motsvarande 16-nanometsteknik med transistortypen. Att Samsung oväntat blev först till nästa generations teknik har fått fabrikslösa giganter som Qualcomm, AMD och Nvidia, vilka historiskt varit trogna TSMC, att i någon utsträckning anlita Samsung för kretstillverkning.
Under Nvidias senaste kvartalsrapport berättar vd:n Jen-Hsun Huang att bolaget alltid utvärderar andra kontraktstillverkare, och att samarbetet med Samsung inte innebär slutet med TSMC. Tvärtom försäkrar har de en fortsatt nära relation som sträcker sig många noder fram i tiden.
Närmast är 16 nanometer, där Nvidia kommer inleda tillverkning hos TSMC inom en inte allt för avlägsen framtid. Därefter siktar parterna tillsammans på nästa steg, 10 nanometer, vilken kommer medföra ytterligare förbättringar i strömförbrukning och inte minst transistortäthet.
Hur långt Nvidias förhållande färska samarbete med Samsung sträcker sig framgår däremot inte. En möjlighet är att Samsung har uppdraget att sköta tillverkningen av kommande Tegra-processorer, medan merparten Geforce-grafikprocessorer även fortsättningsvis kommer produceras hos TSMC.
There are just so many ways for us to deliver energy efficiency and performance. I would not get too obsessed about the process technology all by itself.
Medan tillgång till den senaste tekniken är viktig säger Huang till investerare att det finns andra sätt att få ut högre energieffektivitet. Ett exempel på detta är bolagets senaste arkitektur Maxwell i GTX 900-serien och Titan X, där Nvidia i runda slängar dubblerade energieffektiviteten mot föregående Kepler. Detta trots att båda bygger på samma 28-nanometersteknik från TSMC.
Källa: Kitguru.
