Tillverkaren Micron presenterade igår att de har producerat en DDR3-minneskrets på en gigabit (125 megabyte). DDR3-moduler förväntas dyka upp i början av nästa år men inte ersätta nuvarande DDR2 föränn 2008.

DDR3 har frekvenser från 400 till 800 megahertz vilket blir effektiva klockfrekvenser om 800 respektive 1600 megahertz i och med DDR-tekniken. Minneskretsen som Micron har producerat har en spänning om 1,5 volt vilket är 0,3 volt lägre än nuvarande DDR2-standarden. Kretsen är tillverkad med en 78 nanometers tillverkningsprocess hos Micron.

Som vanligt när en ny minnesstandard håller på att introduceras kommer CAS-värdet (Column Adress Strobe) att höjas. Enligt den senaste JEDEC-specifikationen verkar det som om vi kan vänta oss CAS-värden på 5-10, vilket är något högre än dagens DDR2-moduler. Än så länge vet vi inte hur detta påverkar prestandan. Det kan vara så att ett DDR3-minne presterar sämre än ett motsvarande DDR2-minne i exempelvis 800 megahertz. Tittar man på övergången från DDR till DDR2 kunde man tydligt se dessa begränsningar när frekvensen inte ökas.

Några grundläggande arkitekturändringar för DDR3 kommer inte ske. Det vi vet i skrivande stund är att DDR3 har en 8 bitars pre-fetch istället för 4 bitar som på DDR2. Om det uppväger ökningen av CAS-latensen återstår att se.

Boise, Idaho, September25, 2006 – Memory performance is becoming increasingly critical for a wide range of applications including PC gaming, servers, super computing and high-definition television (HDTV). All of these applications process a large amount of data that needs to be accessed quickly and efficiently. To enable the next level of memory performance for these applications, Micron Technology, Inc., is introducing today a 1 gigabit (Gb) double data rate (DDR)3 device that provides these key applications with faster speed, lower power and increased memory density.

Läs pressmeddelandet hos Micron.

En DDR2-minnesmodul från Micron.