Intel tillkännagav igår att de har lyckats producera flertalet processorer med 45-nanometersteknik och testkört flera operativsystem med dem. Processorkärnan Penryn skall dyka upp i andra kvartalet och ersätta dagens Conroe-baserade processorer.

Tekniken för att producera processorer som har en 45-nanometers ledningsbredd är inte helt lätt. Enligt Intel själva är detta det största genombrottet på mikroprocessorer sedan 1960. Sajten Lost Circuits har publicerat en mycket intressant artikel som förklarar hur den nya tillverkningsprocessen fungerar och vilka tekniska framsteg som har krävts för att skapa 45-nanometersprocessorer.

Vi får bland annat veta att arkitekturen bara har förändrats marginellt för att implementera de nya sse4-instruktionerna. Tittar man på A0-versionen av Penryn-kärnan har de räknat ut att den har 6 megabyte nivå 2-cache. De uppskattar att den högsta frekvensen på Penryn som är möjligt är 3,6 gigahertz och kan uppnås med en spänning om 900-950 mV. Tdp-värdet kommer troligen hamna på 35 watt för den tvåkärniga versionen medan quad-versionen får 70 watt.

Som vanligt på Lost Circuits är artikeln tekniskt inriktad.

Hafnium alloys as insulator with their more than 10 x improved insulating properties will finally allow the migration to yet smaller process technologies. All of this is achieved using the P1266 process using dry lithography at 193 nm wavelength. It is obvious that the P1266 process will be the last step in the long legacy of dry lithography, the next scaling down to 32 nm will - with a very high probability - switch over to immersion lithography. Nevertheless, compared to the 65nm process currently used, the 45 nm process allows the accommodation of approximately twice as many transistors in the same area.

Läs hela artikeln hos Lost Circuits.

En bild från en presentation av Penryn-arkitekturen från Intel.