Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) har tillkännagjort att man förväntas börja producera kretsar med en 45 nanometers tillverkningsprocess redan i september i år. Den nya processen kommer enligt TSMC att fördubbla densiteten hos lågenergi-kretsarna gentemot de med 65 nanometers tillverkningsprocess.

Den nya tillverkningsprocessen kommer att erbjuda antingen 40 procent bättre funktionalitet eller 40 procent mindre kärna. 500 miljoner transistorer kommer att få plats på en kärnarea på 70 kvadratmillimeter. TSMC kommer att tillverka tre olika kretsar med 45 nanometers tillverkningsprocess. Low power-processen (LP) kommer att vara först ut på marknaden, senare kommer kretsar med "general purpose"- och "high performance"-processer (GS) att tillverkas. De olika processerna erbjuder olika spänningar på kärnan för att tillgodogöra marknadens olika behov, 1.8, 2.5 och 3.3 volt.

TSMC’s 45nm process employs a combination of 193nm immersion photolithography and extreme low-k (ELK) material. With an exceptionally high gate density and high-density 6T SRAM cell, more than 500 million transistors will easily fit into a 70mm2 die area. TSMC’s Low Power (LP) 45nm process is expected to be available first, followed soon after by the General Purpose and High Performance (GS) process.

Om du vill veta mer om 45 nanometers tillverkningsprocess så kan du läsa den här artikeln på Lost Circuits som vi tidigare rapporterade om. Artikeln behandlar Intels 45 nanometers tillverkningsprocess och är ganska tekniskt inriktad.

Källa: TSMC.