För ett par veckor sedan skrev vi om en teknik IBM utvecklar för att minimera avstånden mellan kretsar, nämligen att stapla kretsar ovanpå varandra. Nu har Samsung har gått ut med att man kommer att börja tillverka dram-moduler med denna teknik.

Tekniken som går under beteckningen “through silicon via”, TSV innebär att man kopplar ihop kretsar genom att etsa hål i kiselplattorna och sedan fylla hålen med någon metall. Avståndet signalerna behöver förflytta sig blir med den här tekniken väldigt små vilket resulterar i bättre prestanda och mindre storlek (på bredden). Lösningen Samsung använder hos sinda dram-moduler kallas "wafer-level-processed stacked package", WSP.

WSP består utav fyra stycken ddr2-kretsar om 512 megabit, tillsammans utgör de en dram-enhet på 2 gigabit. Dessa dram-enheter kommer med hjälp av TSV-tekniken att kunna appliceras på samma ddr2-modul.

The company’s wafer-level-processed stacked package (WSP) consists of four of four 512 Mb DDR2 chips, which results in one 2 Gb DRAM device. Built onto a DDR2 memory module, Samsung said that it “can” create 4 GB DIMMs based on WSP and TSV technologies for the first time.

Samsung tror även att tekniken kommer att klara av ddr3 hastigheter på 1,6 gigabit per sekund. Dessa minnesmoduler lär även vara strömsnålare än dagens. Inga uppgifter om när minnen baserade på TSV / WSP-tekniken dyker upp på marknaden är kända.

Källa: Tg daily.