Teknikjättarna Samsung och IBM har under en längre tid samarbetat kring att utveckla framtidens minnestyp för lagring. Tekniken de samarbetat runt heter MRAM och sägs kunna skriva data 100 000 gånger snabbare än dagens NAND-baserade flasminnen samt att de har en oändlig livstid. Nya framsteg har nu gjorts kring tekniken som företagen presenterar.
De stora framstegen som nu gjorts är att man lyckats krympa tillverkningen till endast 11 nanometer och fått ner strömförbrukningen avsevärt, endast 7,5 mikroampere krävs för att driva de tidiga prototyperna. Detta innebär att det finns stora möjligheter att använda minnena i strömsnåla enheter och enheter som alltid är på.
MRAM-minnen är avsevärt snabbare än flashminnen, hela 100 000 gånger snabbare när det gäller att skriva data samt tio gånger snabbare på att läsa data. Jämfört med flashminnen möjliggör den nya tekniken även en oändlig livstid tack vare en mer bestående lagringsteknik.
IBM hoppas kunna fortsätta arbeta på tekniken och göra den redo för massproduktion inom tre år. Huruvida detta faktiskt innebär att tekniken når marknaden i form av konsumentprodukter inom denna tidsram är ännu oklart.
