SK Hynix lovade så sent som under hösten år 2019 att följa upp minnestekniken HBM2 med den högpresterande förbättringen HBM2E. Paradgrenen bandbredd skulle förbättras till 460 GB/s per kapsel, upp från HBM2 och dess 256 GB/s, men även minnesmängden skulle dubbleras till 16 GB från tidigare 8 GB.
Nu meddelar det koreanska företaget att massproduktion av HBM2E-minneskretsar har inletts. I sedvanlig ordning utlovas en rad "världens bästa"-egenskaper, där framförallt bandbredden lyfts fram som spektakulär med möjligheten att flytta 124 filer på sammanlagt 3,7 GB varje sekund. Framsteget möjliggörs av att kretsarna har kapacitet om 1 024 kontaktytor med hastigheter om 3,6 Gbps per pinne.
SK Hynix menar att minnestypen kombinerar hög bandbredd och kapacitet med låg strömförbrukning, där företagets 3D-staplingsteknik Through Silicon Via (TSV) ska tillåta minskningar i storleksordningen 30 procent gällande fysisk storlek och hela 50 procent när det kommer till strömförbrukning.
För att sätta HBM2E och dess möjligheter som HBM2-substitut i perspektiv kan en hypotetisk jämförelse göras med om tekniken skulle användas i grafikkortet AMD Radeon VII. HBM2E skulle teoretiskt kunna öka minnesmängden fyra gånger från 16 GB till 64 GB, samtidigt som den tillgängliga bandbredden skulle öka från 1 024 till 1 840 GB/s, en ökning om närmare 80 procent.
HBM2E är enligt företaget tänkt att användas i applikationer som superdatorer, artificiell intelligens, maskininlärning samt högpresterande konsumentdatorer. I det sistnämnda segmentet har AMD tidigare nyttjat HBM2-minne för bland annat just Radeon VII, samtidigt som företaget fortsätter bruka minnestekniken i exempelvis proffskorten Radeon Pro Vega II.
I skrivande stund har inga kommersiella produkter som nyttjar SK Hynix HBM2E avtäckts. Datacenterkortet Nvidia A100 utrustas förvisso med 40 GB minne av HBM2E-typ, men här står Samsung som avsändare.
