Det var sommaren år 2013 som Intel lanserade "Haswell-E", vilket blev startskottet för övergången från minnesstandarden DDR3 till DDR4. Drygt åtta år senare är det dags igen med "Alder Lake" som tar klivet upp till DDR5. I vanlig ordning står högre bandbredd och energieffektivitet, flankerat av nya litografiska noder för högre kapacitet.
Teknikjätten Samsung avser bana väg för DDR5 med en minnesmodul av rang, något de gick ut med redan under våren. Under den pågående konferensen Hot Chips 33 presenterar Samsung fler detaljer om minnesmodulen med en kapacitet om hela 512 GB, en klockfrekvens om 3 600 MHz (7 200 MHz effektivt) och en låg spänning om 1,1 V.
Med bolagets DDR4-minnen på 256 GB används en teknik kallad through-silicon via (TSV), där fyra minneskretsar på 32 Gb (4 GB) staplats ovanpå varandra för att skapa en enskild minneskapsel på 16 GB. Med övergången till DDR5 har Samsung lyckats tunna tjockleken på kiselplattorna (eng. wafer) och möjliggjort för tätare packning av varje krets. Resultatet är att bolaget kan stapla åtta kretsar och skapa en kapsel på hela 32 GB, samtidigt som tjockleken för paketet krympts från 1,2 till 1,0 millimeter.
Samtidigt som antalet kretsar och kapaciteten dubblerats lovar Samsung ökad energieffektivitet jämfört mot dagens DDR4-lösningar. En del i detta är användningen av High-K Metal Gate (HKMG), en litografisk teknik som länge använts för kretsar som utför beräkningar (logic semiconductor) för att pressa ned strömläckaget. Den andra är en integrerad spänningsregulator direkt på minnesmodulen, som dock inte är unik för Samsung då det är en obligatorisk del av DDR5-standarden.
Medan Samsungs svulstiga minnesmodul främst är avsett datacenter och servrar är det ingen högoddsare att bolagets avancemang spiller över på konsumentsidan. Minnesmodulen går in i produktion till slutet av året.
Källa: Computerbase
