ALLA samsung 2D NAND 21nm och 19nm har haft problem med Voltage Drift. Alltså att spänningen sjunker i cellerna med tiden och då MLC och TLC bygger på att man lagrar flera olika spänningar, i fallet TLC 8st olika nivåer och NAND är NAND mer eller mindre så fler nivåer betyder mindre skillnad i spänning. Vad jag läst är spannet 3V för nand och programmeras runt 15V så 15-18V för att ange alla 8st tillstånd som representerar 000-111 bits.
Oavsett så sjunker spännigen med tiden för elektroner läcker ut ur cellerna. Även kvantfysiken tror jag säger att en elektron position inte är känd fören den mäts så ja dom kan mer eller mindre befinna sig utanför cellen rätt var de t är och läcka ut på det viset.
Komplicerat som fan men i grunden, celler tappar spänning med tiden och ju mindre cellerna är ju snabbare går det, detta påverkas av tempratur med, vid programmering, vid läsning osv.
Så SSD'n behöver veta sådan faktorer som temperatur, tid mm för att kunna korrigera för läsfel vilket kommer uppstå och sådan metadata lagrar den.
Samsung hade inte fel på sin firmware, dom underskattade problemet eller ignorerade det snarare. Faktum att 840 inte fick en firmware och Samsung officiellt säger att den är opåverkad fast folk världen över kan bevisa att den i allra högsta grad är påverkad, tar bara lägre tid men det är precis vad 21nm gör mot 19nm som EVO hadde.
Så mycket fel uppstod på 840, 840 EVO, OEM modellerna av dessa att styrkretsen sysslade med ECC alltså felkorrigering till den grad att all CPU kraft gick åt till det, därför sjunk prestandan för styrkretsen han inte med att korrigera för felen lika snabbt som data kunde läsas från NAND'et.
Samsung har sålt så mycket 840 EVO att dom var tvungna att fixa problemet via firmware, omskrivning av data är väl en av dessa grejor SSD'n kan göra men den har väl bättre ECC funktionalitet också nu. Mins inte detaljerna på fixen lägre men firmwaren är "optimerad" bättre för hur hårdvaran, NAND'et och kontrollern fungerar i praktiken.
Kan detta problem uppstå på 21nm TLC NAND men även 19nm som sägs hålla upp till ca 20 elektroner så lär det hända på 16nm TLC NAND som sägs hålla upp till 10 elektroner alltså är felmarginalen en elektron hit eller dit på 16nm TLC för varje varje tillstånd med 8 nivåer.
Dom lär läcka ut och det finns tester på andra sidor av massa 16nm TLC NAND baserade SSD enheter och i princip alla vissa prestandatapp redan efter en vecka eller två.
overclock.net har flera trådar vet jag då jag ofta får mail om dessa via deras forum.
Oavsett 16nm TLC nand läcker och då måste felet korrigeras. Det görs via firmware och hårdvara men i slutändan kan detta bara göras om disken är på. Lämnar du den av några veckor för semester eller annat så kommer den vara slöare och man får bara hoppas firmwaren är smart nog att skriva om all data för det är tyvärr det som måste göras i slutändan annars kommer spännigen bara sjunka i cellerna mer och mer och datan blir svår eller oläslig och påverkar prestandan och dessa budget styrkretsar lär inte ha 3st ARM kärnor likt 840/840 EVO.
Själv har jag en SSD med 16nm MLC, i teorin likvärdigt 21-19nm TLC.
oavset, så här små storlekar och TLC betyder problem för prestandan och kräver att data skrivs om regelbundet av firmwaren.
Dessa intel 540 diskar är samma skit som alla andra 16nm TLC baserade enheter med billiga styrkretsar. Inte använder sitt varumärke för att sälja bottenskrapet av budgetenheter med bra vinstmarginal.
Kan lika väl köpa BX100 från Crucial eller ja i princip vilken 16nm TLC skit som helst.