AMD tillkännager Bristol Ridge för bärbara datorer och sockel AM4

Frågan var nog varför de har deaktiverat dem förut, eftersom de aktiverat dem denna gången.

Antagligen har de inte fungerat som det var tänkt eller dragit för mycket ström så att det krävts de nya transistorerna eller något sånt t.ex.

Skickades från m.sweclockers.com

Runt +25% GPU-prestanda med optimeringar?
Var ju runt 15-20% CPU-prestanda mellan Carrizo och Kaveri vid specifika laster.

Schysst prestandautveckling till skillnad mot Intel och sina 4-8% per generation.

Undrar om de kommer störa sig med sockeln. Så de som köper am4 kommer få köpa ett am4+ moderkort halvåret senare. Eller uppdatera bios på nyinköpta kort med en kompis processor i för att kunna använda Zen?

Jaja. Go AMD! Go!

Skickades från m.sweclockers.com

Kommer Computex direktrapporteras på något vänster? Videosändning rentav? Det är så himla mycket skojsigt på gång

@pytonOrm får man bjuda på lite mer?

Det gillar jag! För mycket sockelbyten från intels sida. Och den kostnadsmedvetne kan ha detta i åtanke. Am3 hängde ju med ett bra tag.

Skickades från m.sweclockers.com

Ja men har jag sagt något annat? Och vad har grafikkort med saken att göra? Förövrigt har de allra största effektiviseringarna gjorts efter Kaveri på samma tillverkningsprocess. Så det är till största del rena arkitekturförbättringar.

Nej, 14nm är det. Jag vet att FinFET inte leder till linjär skalning, men det är inte 20nm. Du och Yoshman gillar att försöka förminska betydelsen hos 14nm-processen. Eller för den delen försöka informera mig om detta. Som om jag någonsin sagt något annat.
Men det känns som att era siffror är från Intels beskrivning av TSMCs 16nm. Vilket för det första inte stämmer överens med siffrorna från TSMC. Och för det andra inte är samma sak som Samsungs/GloFos 14nm. Vad är källan till att Samsungs 14nm matchar 20nm i densitet? Vill gärna ha siffror från Samsung.

Jo jag vet det där också.
Angående TSMC så visar officiella siffror från nVidia initialt peka på 25 miljoner transistorer per mm² på GP100. Vilket kan jämföras med 13,3 för GM100. Alltså en ökning med 86%. Vilket är vad man skulle kunna förvänta sig av en hyffsat mogen 20nm produkt med hyfsat linjär skalning. Vilket man givetvis aldrig får. Men tidigt på 28nm låg nVidia närmare 12 miljoner trannies per mm². Jämför man med det så motsvarar TSMC 16nm cirka 19nm med linjär skalning, som man - åter igen - aldrig får.

Så nog syns det att FinFET kostar på i densiteten. Men tror nog att Samsungs 14nm kan vara snäppet vassare ändå.

EDIT:
Källa: Ofiiciella siffror på GP100: https://devblogs.nvidia.com/parallelforall/inside-pascal/

Det handlar nog om att överdriva betydelsen av samma BEOL som 20 nm-processen, som är interconnect/metallagret. Processen är betydligt bättre än 20 nm även om den inte är mycket tätare. Intels "metallager" är inte heller 14 nm givetvis. Hur smått det blir beror givetvis på vad man bygger. Alternativet om man inte tillverkar hos TSMC hade kanske varit 22 nm FD-SOI eller liknande eftersom GF inte utvecklade någon egen 14/16 nm process utan slog ihop sina huvuden med Samsung (som själv tidigare licensierat processer genom Common Platform-samarbetet som har ursprung i företagen GF svalt upp). Eftersom ingen hade en riktigt stabil 20 nm-process blir det enklast att jämföra 28 och 14 med varandra snarare. Då går de också från planar till finfet i samma veva.

Bristol Ridge är nog mest för att få ut APUer och low-endprocessorer från början (sen är det ju samma processor som i de bärbara, precis som Athlon X4 845 är en bärbar Carrizo utan IGP aktiv). Kanske inte den bästa processorn, men vi får ju alla fall se lite av plattformen (chipset) innan Zen kommer tack vara detta upplägg. Bristol Ridge är bulk 28 nm, från GlobalFoundries. Förbättringarna handlar mycket om bättre cell-bibliotek och mer automatisering i designverktygen och mer syntetiserbar design. Eftersom inget annat tillverkas på den processen hos GF i princip, så går det inte direkt att jämföra med något även om grafikkorten också tillverkats på bulk 28 nm HKMG hos en annan tillverkare. På bärbara vill jag nog egentligen inte se mer Excavator.

NAND (minneskretsar) tillverkar varken Intel eller Samsung på 14 nm och tillverkas i helt separata fabs. Eller rättare sagt Samsung ska börja producera NAND på en 14 nm-process, men den processen är inte samma som 14 nm LPP/LPE som de kör i deras andra fabriker för ASIC/kontrakttillverkning eller Globalfoundries kör i NY. Intel tillverkar NAND-kretsar hos IM-Flash som de äger tillsammans med Micron och det är alltså inte Intels process som körs där. Samsung 850 Evo kör 40 nm 3D-NAND medan Intel kör 32-lager 3D-NAND eller sitt MLC HET, där de inte ens säger vad för process Intel/Micron kör för 3D-NAND och kör 20 nm för MLC-HET samt har 20 nm MLC och 16 nm MLC för ett par konsumentdiskar. Intel som varumärke på SSD-marknaden har annat område de fokuserar på skulle jag säga, vill du har OEM får du vända dig till Micron snarare. Knappast något fel på Intels SSDs till servrar eller deras SSD-kontrollers. Samtidigt används Samsungs NAND av tredje part till massor saker, vilket inte är så konstigt som världens största tillverkare av DRAM och NAND. Allt detta har inget att göra med vanlig ASIC-design/tillverkning att göra.

Jag frågade om Samsungs 14nm, jag ifrågasatte om ni tillämpade vad som sagts om TSMCs 16nm för Samsungs 14nm. Nu fick jag ju mitt svar. Tror nog att 14nm kan vara snäppet mindre än 16nm iaf.

Var väldigt svårt för dig att medge att en fördubbling av prestandan per ytenhet var rimlig inklusive arkitekturförbättringar och frekvenser. Du skulle istället för att bemöta det dumpa föreläsning på föreläsning för att försöka ge sken för tredje part att jag behövde få höra att övergången till FinFET negligerar en del av nodkrympningen. Någon slags avledande halmgubbe.

Och här är du igång igen. Jag har förklarat gång på gång att jag har koll på att övergången till FinFET försämrar skalningen. Jag har också ifrågasatt varför du ska ha dessa föreläsningar. Det är nu uppenbart att du inte har dem för mig, utan för hur andra som iakttar diskussionen ska uppfatta mig respektive dig.
Efterfrågade siffror på att Samsungs 14nm skulle vara en 20nm-process. Du försöker finta bort det hela samtidigt som du får föreläsa genom att prata om TSMCs 16nm. Du får några likes från folk som tycker du är kunnig men ingen ser att du inte bemött frågan utan bara kör en föreläsning du vet att du inte behöver dra för mig.

Förövrigt lät du rätt säker när du sa att man inte kunde tillverka lika stora kretsar på 16/14nm. Ser just nu ut som att nVidia redan massproducerar sin största krets någonsin, på just 16nm.

@Aleshi: Faktiskt förvånad över att Nvidia redan kan tillverka så stora kretsar, Intel verkar ha problem men nya Xeon Phi som ska ligga i nivå med de största kretsarna de tillverkat på 22 nm. Men en förklaringen är ju det vi diskuterar här: TSMC har i praktiken 20 nm med FinFET och man har redan erfarenhet från 20 nm "plannar" som i grunden är samma process. Gissningar om framtiden är just gissningar, de blir ofta fel!

Angående Samsungs 14 nm så är det väldigt svårt att hitta information om deras processer, TSMC och Intel är mycket mer öppna med informationen. Men hittade denna sammanställning gjord på en lång rad processer från de tre. Samsung ökar faktiskt bara sin transistortäthet med en faktor x1,73 mellan 28 nm till 14 nm, transistortätheten minskar något mellan deras 20 nm (som är klart tätare än TSMC) till deras 14 nm.

På det stora hela så ligger Samsungs 14 nm betydligt närmare TSMC 16 nm än Intels 14 nm, något man ser i detta diagram, som inte är det snarlika diagram Intel använt i sitt marknadsmaterial utan detta är motsvarande diagram gjort med den information respektive tillverkare gett om sin process

Visa innehåll

Dold text

Extremetech hade också en visualisering av måtten för respektive tillverkares transistor, här ser man att för TSMC är det exakt samma mått för 20 nm och 16 nm FinFET. Samsung har något kortare avstånd mellan fenorna hos två transistorer (interconnect pitch).

Visa innehåll

Dold text

Vad det gäller de andra nyckelmåtten hos en process är de samma för Samsung och TSMC, medan de är mindre i Intels process.

Visa innehåll

Dold text

TL;DR
Den förväntade ökning av transistordensitet över 28 nm är runt x2, d.v.s. runt 100 % högre, oavsett om det handlar om TSMC eller Samsung. Vilket är det enda jag pekat på med att säga att i praktiken är TSMC och Samsungs 16/14 nm noder 20 nm med FinFET.

Edit: råkade snubbla över detta

"14LPE offers 40% faster performance; 60% less power consumption; and, 50% smaller chip area scaling as compared to its 28LPP process."

D.v.s. Samsung själva säger att deras 14 nm process har dubbla densiteten jämfört med deras 28 nm process, d.v.s. exakt samma utsaga som TSMC. Den praktiska ökningen av densitet från 40 nm till 28 nm var också dubbla densiteten, så ur den aspekten har Samsungs 14 nm process en densitet motsvarande en "riktig" 20 nm process.

Carrizo hade samma 28nm som den tape-out man använde på GPU:erna. Det var en del av hur man minskade kretsarea och högre prestanda per watt.
Dock ingen koll på Bristol Ridge, misstänker det är samma tape-out typ av transistorer som GPU:er då de gjorde den förändringen i Carrizo och båda fortfarande bygger på AMDs CMT CPU:er.