Intel Core 16000 "Lunar Lake" får helt ny arkitektur

Jo, Intel har sagt det och de har gjort liknande uttalanden tidigare när något blivit senarelagt. Vi får se vad det blir av det helt enkelt.

I praktiken bullshit draget ur den proverbiala röven Det vore inte heller möjligt att ta fram en "sann" siffra, utan vi får nöja oss med att det är marknadsföringsnamn där den enas nanometer ska motsvara den andras. Typ.

Det där måttet tappade verklighetsförankring redan runt 90–65 nanometer (om inte tidigare t.o.m.). Intel var väl den som låg närmast verkligheten, men fortfarande långt ifrån, och nu när de hamnat på efterkälken har de anammat namn som på ett ungefär "motsvarar" TSMC:s transistordensitet för att det ska se bättre ut.

Vad gäller att mäta blir det en definitionsfråga. Vad ska mätas? Storleken på en hel transistor eller en enskild komponent i en transistor? Tidigare var det väl grinden (gate) som mättes. Hur stor själva transistorn är är också bara en del. Beroende på vad som ska tillverkas kan transistordensiteten variera enormt mellan två olika kretsar tillverkad på samma tillverkningsteknik.

Ett exempel är AMD på TSMC:s 7 nanometer. Deras CCD för arkitekturen Zen 3 har en densitet på ~51,4 miljoner transistorer per kvadratmillimeter (mm²). Densiteten hos deras 3D V-Cache som tillverkas på samma teknik är mer än den dubbla(!) på ~114,6 miljoner transistorer per kvadratmillimeter.

Oavsett var man skulle placera tumstocken skulle det i slutändan inte säga någonting. Antal nanometer används i marknadsföring och för konsumenter spelar siffran ingen roll; det är hur produkten presterar som räknas. Likaså för företag som AMD, Nvidia, Apple, Qualcomm, m.m. väljer de den teknik med rätt egenskaper för ändamålet oavsett hur den marknadsförs.

Korrekt, men det var innan Intel döpte om "10 nanometer" till "Intel 7", "7 nanometer" till "Intel 4", osv. Numera motsvarar Intels siffra TSMC:s nanometer-mumbo rätt bra, vilket också var tanken bakom att byta benämning på deras tillverkningstekniker.

WikiChip har en bra artikel om Intel 4

https://fuse.wikichip.org/news/6720/a-look-at-intel-4-process...

Angående densitet och dimensioner för Intel 4

"To that end, we estimate Intel 4 at 123.4 MTr/mm², 2.04x from 60.5 MTr/mm² in Intel 7. Our data for TSMC N5 is very much incomplete but our rough estimates based on known pitches put their HP library at 94.85 MTr/mm². Based on most of the recent publically available foundry data, Intel 4 HP cells appear denser than TSMC N5 HP and are likely closer to or better than TSMC N3 HP cells and denser than Samsung’s 3GAE."

(notera att det gäller HP/High-Performance celler, som Jakob var inne på så skiljer sig densiteten rejält på samma nod beroende på vad man tillverkar för)

Historiskt så har väl både Half-pitch & Gate-Length används som något form av representativt avstånd för nodnamnet, men ett tag började man skala gate-length rätt agrresitvt så att det måttet faktiskt var mindre än nodnamnet, fram tills att man nådde runt 30-20nm för Gate-Length och det slutade vara en praktisk del att förminska.

'

Ska man vara petig så döpte dom inte om "10 nanometer" till "Intel 7", 10nm och 10nm SuperFin (10nm+) finns fortfarande kvar, utan det var 10nm Enhanced SuperFin/10nm++ som döptes till Intel 7.

Redaktionen 2025: Det blåser upp till Lunarstorm!