Vad som gått snett med 10nm är yield pga för många komplicerade steg och multipatterning. Med 7nm går de över till EUV, där just dessa problem försvinner. Det kan såklart uppstå nya problem, men det vore ju inget konstigt om 7nm funkar mycket bättre än 10nm.
Jag gissar på att det helt enkelt är för svårt att skära så många steg, så nära gränsen vad som är fysiskt möjligt utan EUV med den gigantiska "kniven" (väglängden) de använder nu. De ska väl förenkla 10nm versionen så det ska gå bättre, men samtidigt blir den inte lika effektiv (på något sätt som återstår att se antar jag).
EUV blir helt klart en serie nya problem, men det lär bli enklare att skära med tunnare "kniv", vilket är idag största problemet.
För er som undrar hur de gör:
Tänk er att du ska kära ut 10mm tunn remsa material. Din kniv är 100mm tjock i bladet... hur gör du?
Jo, du skär en sida och sedan flyttar du kniven 110mm på andra sidan och skär igen. Du lämnas med ett gigantisk gap på 100mm där du skurit, men du får en 10mm tjock remsa.
När du dock ska börja skära både 1mm och 0.1mm med samma teknik, blir minsta lilla variation i kniven och vibrationer en sak som påverkar enormt. 0.1% fel på 100mm är ju 0.1mm... så ska du skära 1mm tjockt, får du ju 0.9-1.1mm, vilket kan fungera. Men när du ska skära 0.1mm tjockt blir ju felet 0-0.2mm i variation... vilket inte fungerar.
Där är tillverkningen nu... fast då i nanometer skala istället för millimeter. Om istället dock kniven kan göras tunnare, tex 10mm kniv i fallet ovan, så kan du ju göra både tunnare banor med bättre precision, samt du får betydligt mindre lucka mellan banorna och kan då ha mycket högre transistortäthet. Detta är vad EUV, en extremt låg frekvens av UV ljus, är tänkt att göra. Svåra är att den "kniven" är extremt svår att göra vass nog att kunna skära med (dvs ha hög nog effekt att kunna göra sitt jobb pålitligt).