Samsung presenterar 3-nanometersteknik med ny transistordesign

En reducering av kretsyta med 45% borde ju rimligtvis betyda att man går från 7nm till 5nm om jag räknat rätt (inte för att siffrorna har något med verkliga mått att göra...). Det känns lite som att tillverkarna tävlar i vem som först kan komma ner till 1nm utan att skämmas allt för mycket över namngivningen.

Jo, det verkar vara en väldigt FET process

"FinFET var ursprungligen lösningen för att krympa tillverkningstekniken bortom vad den traditionella planära transistortekniken tillät, något Intel använde för att kunna gå ned till 22 nanometer med Ivy Bridge och som bland annat TSMC följde upp med på 28 nanometer"

För TSMC, var det inte så att 16nm var deras första nod med FinFET? Och att den noden var egentligen deras 20nm + FinFET?

Kan vi inte bara börja ange transistortätheten? Välj ett namn som inte innehåller 'nm'.

Efter 15 min -0.53%, AMD är -0.73%, verkar som AMD tar mer stryk när det är fel på Intels grejor, mindshare ...

Så Samsung släpper helt ny teknik samma år som Intel hoppas få ut 10nm++ till desktop och "förhoppningsvis" 7nm...
Namn i all ära, Intel ligger ändå lite efter, då alla verka göra stora framsteg utom de som ger oss samma torra 14nm

Kul oavsett med en 3:e konkurrent. TSMC, Intel och Samsung... det ger innovation och utveckling. Man blev lite orolig för när GloFlo kastade handduken, skulle allt stanna? (pga brist på konkurrens)

Visst, en kvadrat där sidorna är 7 av valfri enhet blir 7² = 49 i area. Minska arean med 45% så får man 49 - 49×0.45 ≈ 27, √27 ≈ 5.2.

Att gå från 7nm till 3nm borde egentligen krympa kretsarean med runt 83%, om det faktiskt innebar att alla kretselement krympte med motsvarande mängd. Men nm är ju egentligen inget mer än marknadsföring nu för tiden, och har ingen direkt anknytning till t.ex. transistorstorlek. Att de kallar denna för 3nm beror troligtvis bara på att de redan använder 5nm för andra tekniker, och att gå ner till 4nm skulle inte vara tillräckligt imponerande.