Silicon on insulator (SOI) kallas en tillverkningsteknik som går ut på att kombinera halvledare med isolerande skikt för att minska kapacitansen och göra det möjligt att skruva upp klockfrekvenserna.

Intels motstånd mot den förhållandevis dyra SOI-tekniken kan dock vara ett minne blott. Enligt EEETimes kan processorjätten vara på väg att införa tillverknings- tekniken vid övergången till 22 nanometer i slutet av 2011. I praktiken skulle det innebära att Intel hamnar 3–5 år före konkurrenterna.

We believe Intel will introduce a germanium (III V) channel and full depleted SOI at 22-nm. This will give Intel a quantum leap in performance over what they are achieving and leave competitors 3-5 years behind.

Konkurrenten AMD använder sedan flera år tillbaka SOI medan Intel arbetat med att förbättra traditionell CMOS-process. Tack vare en tidig övergång till 32 nanometer är Intel en generation före AMD på det tillverkningstekniska planet vilket kan översättas till ett försprång på cirka 18 månader. Det gapet utvidgas ytterligare om Intel lyckas att dra igång 22 nanometer SOI redan 2011.