Det samägda bolaget Intel-Micron Flash Technologies eller IMFT tillkännager två nya genombrott med flashminnen i 20 nanometer. Företaget introducerar vad som sägs vara världens första NAND-minne med 128 gigabit kapacitet, vilket innebär att det endast krävs åtta kretsar för att sy ihop exempelvis en SSD-enhet eller ett USB-minne med 128 gigabyte lagringsutrymme.
Through the utilization of planar cell structure and Hi-K/Metal gate stack, IMFT continues to advance the technological capabilities of our NAND flash memory solutions to enable exciting new products, services and form factors.
Den nya kretsen framställs med en teknik som kallas för "planar cell, hi-K/metal gate stack" och är av typen multi level cell (MLC), vilket för med sig en fördubbling av det tillgängliga lagringsutrymmet från den tidigare maximala kapaciteten på 64 gigabit. Dessutom klarar kretsen kraven för ONFI 3.0, som bland annat anger överföringshastigheter uppemot 400 MB/s.
Samtidigt avslöjas även att IMFT påbörjar masstillverkningen av flashminnen på 64 gigabit med 20 nanometers tillverkningsteknik. Testexemplar av de större kretsarna i 128 gigabit ska finnas tillgängliga i början av januari nästa år och volymtillverkningen drar igång någon gång under det första halvåret 2012. Det vankas med andra ord nya, och kanske framförallt, rymligare SSD-enheter.
