Att använda ljus istället för elektriska signaler för att överföra data har en mängd olika fördelar, som höga överföringshastigheter över långa avstånd och en total okänslighet mot elektromagnetiska störningar. Nu avslöjar IBM ett teknisk genombrott som ska göra det möjligt att tillverka optisk-elektriska kretsar för servrar, datacenter eller superdatorer, med överföringshastigheter på över 25 gigabit per sekund.

ibm_0001_Layer 1.jpg
ibm_0000_Layer 2.jpg

An IBM 90nm Silicon Integrated Nanophotonics technology is capable of integrating a photodetector (red feature on the left side of the cube) and modulator (blue feature on the right side of the cube) fabricated side-by-side with silicon transistors ( red sparks on the far right of the cube). Silicon Nanophotonics circuits and silicon transistors are interconnected with nine levels of yellow metal wires.

Det tekniska genombrottet gör det möjligt att integrera olika optiska komponenter med elektriska kretsar på en enda kiselkrets, och detta med vanlig 90 nanometers tillverkningsteknik. Som exempel nämns modulatorer, multiplexrar och fotodetektorer.

Att just vanlig halvledarteknik kan användas för att tillverka den nya typen av optisk-elektriska kretsar förenklar produktionen och sänker kostnaderna. Enligt IBM kan nu tekniken användas i kommersiella applikationer. Framtida versioner kan dessutom komma att uppnå överföringshastigheter i terabitklassen.