Kontraktstillverkaren TSMC har börjat producera kretsar på 20 nanometer, men ett högt pris och låga prestandaförbättringar gentemot 28 nanometer gör att många klienter väntar på nästföljande teknikkliv. Nu får kommande 16 nanometer "FinFET" med 3D-transistorer sällskap av två mer avancerade varianter.

Förutom den ursprungliga tekniken som väntas gå i produktion mot slutet av året planerar TSMC att samtidigt släppa 16 nanometer FinFET+, som väntas gå under namnet 16nm FinFET Turbo. Detta ska följas upp av en mer avancerad variant någon gång under 2015–2016. De nya teknikerna är enligt Digitimes en direkt respons mot den hårdnande konkurrensen från Samsung och Intel.

Vad som är nytt gentemot ordinarie 16nm FinFET framgår däremot inte. Troligtvis rör det sig om dyrare varianter som möjliggör högre presterande kretsar med bibehållen energiförbrukning, vilket skulle kunna innebära att de förutom mobila kretsar även är lämpade för högpresterande grafikkort från AMD och Nvidia.

Processnoden 16 nanometer från TSMC erbjuder inga fördelar i transistordensitet mot 20 nanometer. Däremot byts transistorerna ut mot så kallade 3D-transistorer, vilka har en kiselfena där strömmen flödar. Det ger lägre strömläckage och möjligheten till högre klockfrekvenser.

Att det inte handlar om en krympning tros även vara anledningen till varför TSMC väntas kunna producera tekniken så kort efter introduktionen av 20 nanometer.