För första gången på 25 år introduceras en från grunden ny minnesteknik när de amerikanska halvledarjättarna Intel och Micron presenterar vad som kallas för 3D Xpoint. Genombrottet sägs innebära ett nytt paradigmskifte inom lagringsindustrin tack vare en smått revolutionerande transistorlös designsprincip.

intelmicron_0002_Layer 1.jpg
intelmicron_0001_Layer 2.jpg
intelmicron_0000_Layer 3.jpg

Following more than a decade of research and development, 3D XPoint technology was built from the ground up to address the need for non-volatile, high-performance, high-endurance and high-capacity storage and memory at an affordable cost.

Den nya minnestekniken kombinerar en uppsjö åtråvärda egenskaper. Först och främst är 3D Xpoint icke-flyktigt, vilket gör det möjligt att använda minnestypen för långtidslagring i exempelvis SSD-enheter och minneskort. Samtidigt erbjuds rekordlåga accesstider och skyhöga överföringshastigheter.

Enligt skaparna är 3D Xpoint upp till 1 000 gånger snabbare än traditionellt flashminne (NAND), tusenfaldigt tåligare och med tio gånger högre lagringstäthet. Ytterligare argument är att minnestypen sägs vara kostnadseffektiv och öppna upp för nya typer av applikationer med massiva dataset.

Vad som möjliggör allt detta är att de nya transistorlösa minnescellerna är placerade i ett tredimensionellt rutmönster, där varje individuell minnescell är adresserbar. Resultatet är att data kan läsas och skrivas både snabbare och effektivare i jämförelse med NAND.

Intel och Micron planerar att inleda förproduktionen av minneskretsar med 3D Xpoint i det innevarande året. Än så länge är det dock inte tal om någon kommersiell lansering utan om testexemplar till "utvalda kunder".