Tidigare i januari framgick nya uppgifter om Samsungs Exynos 8 Octa 8890 och Qualcomms Snapdragon 820, två konkurrenter om prestandatronen för nästa generation mobiltelefoner. Ingen av kretsarna har ännu hittat ut på marknaden, men nu hittar information ut om vad som sägs vara framtida Snapdragon 830.

På kinesiska Weibo framgår vad som sägs vara grundläggande specifikationer för den nästkommande generationen. Enligt uppgifterna ska Snapdragon 830 (MSM8998) tillverkas på en 10-nanometersteknik och processorkärnorna blir åter egenutvecklade Kryo som används i Snapdragon 820, med förbättringar i prestanda och energieffektivitet. Därtill anges stöd för 8 GB primärminne.

Vidare talas det om att Snapdragon 830 ska tillverkas på en 10-nanometersteknik och lanseras under 2017. Detta spär på uppgifterna om att industrin är redo för en snabb övergång från 16 och 14 nanometer, men också att Intel kan bli omkörda.