Att krympa tillverkningsprocessen har länge varit ett enkelt sätt att få ut mer prestanda till lägre kostnader, då det gör det möjligt att utnyttja kretsytan bättre med fler transistorer. På grund av snävare marginaler och fysikaliska begränsningar har utvecklingen inom området stannat av lite på senare år, men framsteg görs fortfarande.
Nu meddelar Samsung att de börjar tillverka systemkretsar som baseras på tillverkningstekniken 10 nm FinFET, och därmed blir de först i världen som gör detta. Enligt Samsung själva kommer den nya tillverkningsprocessen med ett flertal fördelar i jämförelse med föregående teknik på 14 nm. Bland dessa syns 30 procent bättre användning av kretsytan, vilket resulterar i antingen 27 procent högre prestanda eller 40 procent lägre strömförbrukning.
Exakt vilka enheter den nya tekniken kommer användas i meddelar inte Samsung, men deras nästa telefon Galaxy S8 tros bli en av de första. Enligt bolaget ska kretsar baserade på den krympta tillverkningprocessen börja dyka upp redan i början av 2017 för att senare under året bli mer utspritt.
