Intel använder nanotrådar för transistorer inom fem år

Intel använder nanotrådar för transistorer inom fem år

Likt Samsung är transistorer som kan anpassas efter kretsarnas behov en del av Intels framtida tillverkningsteknik.

I och med att Intel lanserade Ivy Bridge-arkitekturen i maj år 2011 introducerade företaget också tillverkningstekniken 22 nanometer. Det stora skiftet denna gång var att Intel bytte från tidigare planära transistorer, som tillämpar transistorer på ett 2D-plan, till tekniken Tri-Gate där transistorernas grindar istället har elektrisk kontakt i tre dimensioner.

Intel och resten av industrin har sedan dess tillämpat denna typ av transistorer som kollektivt kallas FinFET. Namnet kommer från teknikens struktur där en kanal löper genom en grind som har kontakt med flera sidor av kanalen likt en "fena". Detta låter kretsar med FinFET-design växla mellan elektriska signaler signifikant snabbare än konventionella planära transistortyper. Under årets teknikmässa LVSI avtäcker Intel planerna för framtidens transistortyp Gate-All-Around (GAA), rapporterar Anandtech.

SamsungFoundry_FETdesign.jpg

Samsungs illustration av planära transistorer, Tri-Gate och Gate-All-Around (GAA)-transistorer.

GAA-tekniken bygger på något som kallas nanotrådar, en typ av transistorteknik som även konkurrenten Samsung arbetar på som en ersättare till FinFET. Till skillnad från den sistnämnda, där kretstillverkaren endast kan anpassa "fenornas" höjd, gör GAA-transistorer det möjligt att använda flera nanotrådar (eng. nanowires) som löper genom grinden. Dessa kan dessutom anpassas på bredden, och kallas då nanoblad (eng. nanosheet).

I takt med att tekniken förfinas kan företag implementera fler lager av nanotrådar eller nanoblad, vilket ökar transistordensiteten i kretsarna. Denna flexibilitet kommer inte bara till nytta för densiteten utan gör det också möjligt att anpassa transistorerna efter behoven. Med en FinFET-design är fenornas höjd fixerad, vilket därmed låser kretsen till en viss kapacitet. Med GAA-transistorer kan transistorernas storlek och energikonsumtion anpassas på kiselnivå.

I samtal med Anandtech berättar Intels teknikchef Dr Mike Mayberry att en löst definierad tidsplan för introduktionen av volymproduktion på GAA-kretsar är att detta sker inom fem år. En titt på Intels tidigare framtidsplaner anger ett flertal lanseringar av kretsar med nuvarande FinFET-design, där olika steg av förbättrade 10 nanometer följs av bolagets 7 nanometer under år 2021. Efter detta lär olika steg av förbättrad 7 nanometer följa innan steget preliminärt tas till GAA till år 2025.

Intel_nanotrådar3.jpg
Intel_nanotrådar4.jpg

Vid det här laget har Intel hunnit fram till olika generationer av förbättrad 5 nanometer, och kan också introducera första iterationen av 3 nanometer. Med Intels tidigare problem med övergången till 10 nanometer i åtanke är det dock inte helt osannolikt att 3 nanometer blir försenad, och att GAA-transistorer istället gör entré i en generation förbättrad 5 nanometer.

Kretsar med GAA-design må vara en bit in i framtiden för Intel, men konkurrenten Samsung har tidigare aviserat att företagets variant GAAFET kan bli tillgänglig för volymtillverkning åt kunder så snart som under år 2021. Precis som tekniken utlovar erbjuder Samsung kunder flexibilitet för transistorernas kapacitet, där nanobladens bredd avgör förhållandet mellan prestanda och energieffektivitet.

I Intels vision för framtiden över en femtonårsperiod satsar bolaget inte på att bygga processorer och kretsar för kvantdatorer. Enligt Intel är detta är långt borta och att företaget istället satsar på att ta tekniska steg framåt inom maskininlärning och vad som kallas neuromorphic computing. Detta handlar om att skapa kretsar som efterliknar de neurologiska strukturer som finns i människans nervsystem, vilket bland annat kommer till nytta för att låta system lära sig och anpassa sig till händelser.

Läs mer om transistorteknik:

Skicka en rättelse
10

Test: Phanteks Eclipse P500A – prisvärt chassi med stomme i världsklass

Jonas tar en titt på Phanteks nya chassi Eclipse P500A, vilket kombinerar högt luftflöde med enkel montering och kabelhantering. Läs mer

23

Lisa Su: "Zen 3-tillverkningen går riktigt bra"

AMD:s VD berättar om barn som döpts till Ryzen och försäkrar återigen om att Ryzen 4000-processorer på Zen 3 inte försenas. Läs mer

23

Ubiquiti marknadsför Unifi Video – ett halvår innan den stängs ned

Plattformen Unifi Video marknadsförs blott en månad före Ubiquiti meddelar att tjänsten stängs ned ett halvår senare. Läs mer

148

Veckans fråga: Har du testat Linux?

Denna vecka undrar vi om ni har testat Linux för privat användning. Hur gick det, och använder ni det fortfarande? Läs mer

13

Intel klargör Thunderbolt 4 inför höstens lanseringar

Med höstens lansering av Tiger Lake-processorerna introduceras också Thunderbolt 4, som garanterar större funktionsutbud än USB 4. Läs mer

51

MSI:s VD Charles Chiang död efter fall från kontorstak

En 20-årig karriär inom MSI når sin ände då VD:n Charles Chiang avlidit i sviterna av ett fall från högkvarterets tak. Läs mer

64

Apple överger AMD Radeon vid övergången till egna ARM-processorer

I en utvecklargenomgång bekräftar Apple att kommande datorer med bolagets egna ARM-processorer bestyckas med egen grafikteknik. Läs mer

18

AMD följer upp Ryzen-uppdatering med Threadripper Pro

Åtta minneskanaler och upp till 128 kanaler PCI Express kommer i finjusterat paket när AMD uppdaterar Threadripper-familjen. Läs mer

7

Marknaden för gaminghårdvara växer under det exceptionella året 2020

COVID-19 står bakom en dryg tioprocentig ökning ställt mot år 2019 för helåret 2020 menar analysfirman Jon Peddie Research. Läs mer

130

Test: AMD Ryzen 5 3600XT, Ryzen 7 3800XT och Ryzen 9 3900XT

Som en uppvärmning inför Ryzen 4000 "Vermeer" sjösätter AMD en omgång Ryzen 3000-processorer med aningen uppskruvade frekvenser. Läs mer

37

Samsung lanserar UV Sterilizer för desinfektering av telefoner

USB-C får stryka på foten till förmån av UV-C när Samsung inför en ny laddlåda med trådlös laddning och desinfektion. Läs mer

5

Samsung når genombrott i lovande halvledaren amorf bornitrid

Kandidaterna till till nästa generations halvledarmaterial är många, och Samsung utökar utbudet med genombrottet bornitrid. Läs mer