Nästa stora teknikskifte inom DDR-primärminne står för dörren. Till slutet av år 2021 lanserar Intel processorfamiljen Alder Lake, som blir först ut med stöd för purfärska standarden DDR5. Denna väntas kort därefter följas upp av serverplattformar där såväl den högre kapaciteten som bandbredden är länge efterlängtad.

Samsung-HKMG-DDR5_dl1.jpg
Samsung-HKMG-DDR5_dl2.jpg

Inför den storskaliga utrullningen hör Samsung bön och avtäcker ett DDR5-minne av rang. Det rör sig en ensam modul med en kapacitet på hela 512 GB. Som om inte det vore nog ska den framtida DDR5-modulen kunna skruvas upp till en effektiv klockfrekvens om 7 200 MHz, vilket Samsung menar är dubbelt upp mot DDR4-minnen för samma ändamål.

För att möjliggöra lösningen inkorporerar Samsung en teknik kallade High-K Metal Gate (HKMG), som traditionellt endast använts för kretsar som utför beräkningar (logic semiconductor). I takt med att transistorer krympts har dess isolerande lager (eng. insulation layer) tunnats ut, något som lett till högre strömläckage och minskad möjlighet att nå hög prestanda (klockfrekvens).

Enligt Samsung är det användningen av HKMG som gör det möjligt att nå de höga klockfrekvenserna, samtidigt som runt 13 procent lägre strömförbrukning utlovas. Sannolikt avses inte en minskning av totalen, utan per bit (b) av data som överförs mellan primärminnet och processorn. En annan teknik som används är through-silicon via (TSV) för att stapla åtta minneskretsar ovanpå varandra.

Den tilltänkta marknaden för minnesmodulen är framförallt datacenter och servrar, där artificiell intelligens (AI), maskininlärning (ML) och dataintensiva laster nämns som exempel. Nu när Samsung tagit klivet till att använda HKMG är det dock möjligt att de kan komma att använda tekniken för framtida DDR5-minnen ämnade konsumentmarknaden.

Läs mer om DDR5: