I Samsungs finansrapport för första kvartalet 2022 berättar företaget att de är blott veckor från massproduktion av kretsar på 3 nanometer. Samsungs nod kallas 3GAE och är den första av sitt slag att använda en transistortyp som kallas gate all around. Tekniken tillåter betydligt mer flexibel design av transistorerna, vilket bland annat ska kunna minska spänningsläckage jämför med mer traditionella transistorer.

Detta placerar Samsung långt före Intel som förväntas nå massproduktion av deras "Intel 3"-nod först tredje kvartalet 2023 medan TSMC:s 3 nanometersprocess å sin sida väntas nå massproduktion andra kvartalet 2023. Både Intel och TSMC väntas gå in i produktion av kretsar på 3 nanometer redan i år men inte nog för att kvalificera som massproduktion. Den exakta gränsdragningen är dock inte uppenbar och Samsung har inte angett någon förväntad volym för året ännu.

I Samsungs kvartalsrapport berättar de att de redan har både europeiska och nordamerikanska kunder på den nya processen. Enligt Samsungs egna jämförelser med befintliga 7 nanometers FinFET-processer kan 3GAE leverera 35 procent högre prestanda till 50 procent reducerad energiförbrukning samtidigt som man tar upp 45 procent mindre kretsarea.