IBM planerar att använda minnet på kommande processorer som tillverkas med en tillverkningsprocess om 45 nanometer.

I skrivande stunds hittar man minnestyperna sram eller dram på processorer som cache-minne och IBM säger även att edram-kretsar krävs om man skall kunna baka in stora mängder minnen på flerkärniga processorer i framtiden.

Edram-minnet har en latens på endast 1,5 nanosekunder och en planlös cykeltid på 2 nanosekunder, vilket är mycket snabbare än dagens cache-minne man hittar på processorer.

Med antalet kärnor ökar även kravet på stora cache-minnen vilket är anledningen att detta edram-minne har utvecklats. Subramanian Iyer som är ingenjör och ansvarig för IBM:s utveckling av 45-nanometerstekniken har nyligen sagt att IBM planerar att producera processorer med upp till 36 megabyte cache till Engineering Times India. Detta kan även enligt IBM:s pressmeddelande hända så tidigt som nästa år:

The technology is expected to be a key feature of IBM’s 45nm (nanometer) microprocessor roadmap and will become available beginning in 2008.

Läs pressmeddelandet hos IBM.