Ursprungligen förväntades det att gddr4-minne skulle skala upp till 2,8 gigahertz i frekvens för att sedan ersättas med gddr5 runt år 2009. Men genom högre spänning till minnena och en 80 nanometers tillverkningsprocess har Samsung lyckats producera 512 megabitskretsar som har en frekvens om 4 gigahertz.

Samsungs nuvarande gddr4-minnen har specificerats att maximalt kunna köras med 1,9 volt, men dessa nya 4-gigahertzkretsar har en spänning om 2,0 volt.

Med ett 256 bitars minnesgränssnitt skulle detta gddr4-minne ha en teoretisk maximal bandbredd på 128 gigabyte per sekund, vilket ungefär är 40 gigabyte per sekund snabbare än Nvidias snabbaste grafikkort Geforce 8800 GTX. Med ett minnesgränssnitt på 512 bitar (vilket det ryktas att Atis kommande R600 har) betyder det en bandbredd på 256 gigabyte per sekund, vilket exempelvis är fyra gånger snabbare än ett Ati Radeon X1950 XTX som använder sig av gddr4-minne.

Samsung sade inte om de skulle börja massproducera minnen med frekvenser i stil med 4 gigahertz, och om det sker kommer det troligen dröja tills 2008 då vi kan se grafikkort med denna typ av minne. Minneskretsen visar dock att gddr4-tekniken kan ha en lång livslängd och skalar mycket bra i frekvens.

Källa: PC Watch.