Enligt pressmeddelandet ökar en 60 nanometers tillverkningsprocess effektiviteten med 40 procent jämfört med 80- och 90-nanometersprocess. Minnena som kretsarna består av inkluderar storlekar om 512 megabyte samt 1 och 2 gigabyte med frekvenser om 667 eller 800 megahertz.

Samsung säger att företagets ständigt minskade tillverkningsprocess beror på den tredimensionella transistorteknologi de har utvecklat:

Samsung’s continuous technology migration below 90nm has relied heavily on the company’s extensive use of three-dimensional (3D) transistor technologies to build increasingly smaller chips, a fundamentally unique approach toward finer circuit designs and higher yields. One of the key technologies involved in the development of Samsung’s 3D transistor is a recess channel array transistor (RCAT) that actually builds the DRAM cell three-dimensionally to minimize its size while increasing its density.

Läs pressmeddelandet hos Samsung.