Enligt Samsung är minneskretsar baserade på den nya tillverkningsprocessen mer än 60 procent effektivare än minneskretsar baserade på den tidigare tillverkningsprocessen, det vill säga 60 nanometer. De nya kretsarna har en läshastighet på 30 megabyte per sekund och en skrivhastighet på 8 megabyte per sekund. Detta är att jämföra med 17 / 4,4 megabyte per sekund som gällde för den tidigare generationen. Tekniken som används i minneskretsarna är multi-level cell, MLC. Detta innebär att mer än en bit per cell sparas genom att använda mer än två nivåer av elektrisk laddning.
In rolling out the densest NAND flash in the world, we are throwing open the gates to a much wider playing field for flash-driven consumer electronics,” said Jim Elliott, director, flash marketing, Samsung Semiconductor. “To minimize production costs and improve performance, we have applied the finest process technology a ‘half generation’ ahead of the industry, which is introducing 55nm and higher.
Kretsarna har som sagt en lagringskapacitet på 16 gigabit eller 2 gigabyte. Det kommer antagligen att dyka upp minneskort med en lagringskapacitet på 16 gigabyte baserade på dessa kretsar. I slutet av året väntas produkter baserade på de nya minneskretsarna dyka upp på marknaden.
Källa: Samsung.
