I januari nästa år inleder världens största kontraktstillverkare av halvledare massproduktion av kretsar i 20 nanometer. Den purfärska tekniken väntas dock få ett begränsat genomslag då TSMC:s kunder redan väntar på det nästföljande teknikklivet 16 nanometer FinFET.
Nu rapporterar Digitimes att TSMC inlett så kallad riskproduktion på tekniken. Vad det innebär är att processen mer eller mindre är färdigställd och att företaget tillsammans med dess kunder inleder arbetet i att optimera deras kretsdesigner för högre yield, andelen fungerande kretsar i procent.
Processnoden 16 nanometer FinFET erbjuder inga fördelar i transistordensitet mot 20 nanometer. Däremot byts transistorerna ut mot så kallade 3D-transistorer. Medan traditionella transistorer enbart leder ström över en plan yta får de nya en kiselfena där strömmen flödar, vilket ger lägre strömläckage och möjligheten till högre klockfrekvenser.
Då den kommande tekniken inte innebär en krympning av transistorerna hoppas TSMC vara redo att massproducera kretsar på 16 nanometer FinFET redan under det första kvartalet 2015.
