AMD nästa arkitekturer är Vega och Navi – Polaris hoppar över HBM2

Jag kan tyska. Det står sensommar börjar Hynix med HBM2 4GB moduler eller på en krets max 16 GB kort enl. specifikationen från Jedec, 4 moduler per krets med gällande interposer. Vad det så svårt och säga.

Samsung Semiconductor är ett helt annat företag än Electronics du får dina konsumentprodukter ifrån.

Samsung Semiconductor är större än SK Hynix och Micron på DRAM och har haft forskning och utveckling sedan 1983. De utvecklar och tillverkar inte minnen vid deras foundrys som är öppna för externa kunder.

SK Group är själv ett konglomerat med över 70 000 anställda, bara 17 000 av dessa jobbar i SK Hynix med minnen (DRAM, NAND och viss logik, SSD-kontroller osv). Gruppen sysslar mest med olja, kemikalier och telekom.

Så vad är det som är så svårt.

Har de lyckats sätta specifikation i nägon instans som har hand om standarder.i de branscher vi talar om. Bryr mig inte om hur stora eller små de är.

Osammanhängande.

Det är inte offentligt vem som bidrar med vad till JEDEC, men menar du att de skulle varit helt "icke inblandad" i SDRAM, DDR SDRAM, DDR2, DDR3, DDR4, osv osv? Det har du inga belägg för. Vad tror du deras ingenjörer gör egentligen? De bidrar gott till standarder inom i stort sett alla teknikområden. De var först ut med DDR4 senast och pratade om DDR4 flera år innan specifikationerna exempelvis. De jobbar med halvledare av flera olika slag med radio, med LCD/OLED-paneler, med CMOS-sensorer, osv osv. Minnen och flash-minnen (NAND) tillverkas inte av deras foundryverksamhet alls. Det låter som grova förutfattade meningar, där du inte kan se att de är mer än ett försäkringsbolag exempelvis. Deras foundryverksamhet är relativt nytt inslag och det finns ingen i branschen som skulle vänta på färdiga JEDEC-specifikationer, de är medlemmar så de får specifikationer tidigare och bidrar till dessa, samt att en specifikation är väldigt långt ifrån ett fungerande halvledarkrets som du måste utveckla också, specifikationerna handlar om protokoll och liknande inte hur du bygger minnen.

När DDR4 tillkännagavs av JEDEC nämndes exempelvis bara Samsung, som också råkade ha visat upp DDR4-kretsar långt innan standarden tillkännagavs. Det är inte som du får noll träffar om du söker på "Samsung develops", de visade i det här fallet DDR4-kretsar något år innan SK Hynix och Micron. När du utvecklar framtida produkter kommer du också bidra till olika standarder. Det finns inget belägg för att de skulle vänta på färdiga specifikationer för att sen vänta ett par år för att få ut en produkt.

HBM-specifikationerna har som sagt dessutom funnits sedan oktober 2013, inte mindre än ett år.

Vem gör utvecklingen och sen skickar till gällande instanser för standarder. Självklart frågas det överallt om det finns intresse och välvilja att det genomförs eller skapas standard inom bransch. Du kommer inte en meter om det finns teknik för att göra det, teknik att sammanföra det eller en grund att bygga på.

Vill du ha länk på att Hynix och AMD skapade HBM/HBM2. Skall jag länka ...nästan oändligt. Du måste förstå att om JEDEC fick specifikationer vid en viss tidpunkt, och plötsligt har Samsung full produktion men inte Hynix som utvecklade tekniken och produktionen. Vad i min flowerpower snack är fel. Det enda jag kan se är att du är en nvidia fanboy som önskar att nvidia får HBM2 före AMD? Enda ursäkten är att Samsung med Hynix och AMD är att de fick information av dem, vilket i sin tur innebär att Samsung måste hålla på sin produktion tills AMD har sitt klart med Hynix. Att sen att Samsung har ett gigantiskt lager av HBM2 spelar ingen roll. Du av någon måste förstå, det tar tid så in i .... tid.

Nu får du sluta. Varför får nvidia inte HBM2 av Hynix förrän AMD med ett okänt kontrakt, har fått sitt. Så du menar Samsung fick specifikationen av JEDEC medans AMD och Hynix som skapade produkten och hur produktionen generellt (gäller HBM2) skall genomföras ligger efter. Gillar du att flumma eller gör du det för att verka smart. Det kanske blir så att AMD ligger med 100k kort redo medans nvidia har bara 10k kort redo.

Så AMD (utvecklare/användare) och Hynix(utvecklare/byggare) skapade inte HBM/HBM2.(Fan gjorde de i 7 år)

Förklara koncept, ingen fakta. @Typhoon sa att Hynix börjar produktion 2016 Q3 vilket är en lögn när han hävfar att jag skall visa källor.

Ignorerar koncept när tekniken redan finns.
Kan du visa källor mer än produktionsstart och specifikationer.
Fortfarande skapade AMD och Hynix produkt och produkttillverkning. Har du källor mer än produktion och produktionstart. Sluta säga att jag skall jaga källor. Vet du inte så, varför bryr du dig, snällt sagt. Det handlar om nivåer i kunskap och bredd.

JESD235 är daterad till oktober 2013. Dessutom har medlemmar i JEDEC tillgång till preliminära specifikationer innan de publiceras öppet. Samsung visade att de utvecklade HBM-minnen med högre kapacitet förra året på IDF2015, dessa har blivit HBM2. De tillkännagav redan då att de skulle börja massproducera andra generationens HBM-minnen, alltså innan JESD235 uppdaterades till JESD235a (HBM2).

AMD har inte utvecklat minnen (NAND) sedan de slutade vara inblandade i Spansion. De utvecklade en minneskontroller för att kunna använda dessa stackade minnen på 2.5D interposer. Stackade minnen används både på skrivbordsdatorer/servrar och i mobiler idag. HMC är en tänk konkurrent som Micron utvecklat/forskat på, och gjort samples av. De har en egen samarbetsorganisation vad det gäller HMC och lite annan målgrupp, där är Samsung också med och kan också delta i utvecklingen. 3D XPoint har inget med DRAM att göra då det är ett sätt att bygga NAND – och dessutom ingen specifikation. Samsung har egna sätt att bygga VNAND och så vidare, och har varit med och tagit fram mycket på området. Hur som helst har Samsung jobbat med HBM flera år bakåt – inte "mindre än ett år".

Att jag skrev osammanhängande i förra inlägget var inget påhopp, du måste nog vara lite självkritisk när du skriver en sådan mening/inlägg. Jag kan ju bara gissa vad du säger där.

Ska man vara noga så ska man påpeka att det just är 4GB HBM2 som inte påbörjas fören Q3, vilket också råkar vara samma som Samsung startat tillverkningen av nu.

Jisus. Samsung och hynix har redan gått ut med när dessa ska släppa hbm 2.

Samsung har redan erfarenhet av 3 nand och minnen för grafikkort ligger inte långt bort. Så inte otroligt att dessa hinner före, när dom redan är först med massproduktion på ssd med 3 nand.

Skickades från m.sweclockers.com

***bort/mod*** 3d V-nand för att vara exakt används till flash(nonvolitail) så om du nämner utveckling eller koncept! så mycket möjligt någon gång i framtiden RAM/VRAM kommer också ha 3D teknik i cellen min gode herre. Enda företaget som är i närheten av hastighet, hållbarhet och bandbredd för att vara volitail/nonvolitail är 3dxpoint med finfet ops de arbetar med intel.

Jo, men tror du inte dom använt kunskapen till 2,5 nand byggande för hbm?

Blir ju inte raketvetenskap när dessa vet hur man bygger kretsar på höjden. Sen att dessa kör ifrån ett helt år före konkurrenten är sjukt.

Skickades från m.sweclockers.com

3d teknik är ett sätt att undvika krypströmmar när det närmar sig atom-nivå(typ 1 ångström-10 nm). Fördelen är att cellen/transistorn kan krympas på ytan. Därför är Intel/samsung/TSCM fortfarande på 20 nm planar. De har dock olika bredd på metal/gate pitch, där Intel är bäst. Nu börjar kvantum mekaniska efenskapers intåg. Man kan nyttja vissa egenskaper i dessa storleksnivåer, som spinntronik egenskaper. Därför är bland annat HP långt fram med memristorn och även IBM har långt gången forskning, finns fler institut och företag. Men dessa har ingen produktion i massa.eller antal. Fortfarande når inte Intel med Cannonlake 10 nm planar för cellen/transistorn när de kommer med det.

Stackade kretsar har använts på vanligt DRAM till server/desktop och mobiler ett tag nu. Gemensamt med 3D TSV DRAM och HBM är att båda använder TSV. Det används också till HMC (också DRAM-minne) som Samsung också är med på (de och Micron är grundaren till HMC Consortium och utvecklar standarden tillsammans med ett gäng andra). Samsung har som sagt använd stackade minnen till DRAM, bland annat för det första 128GB DDR4-minnet (3D TSV) och ett par år tidigare för 64GB DDR4 (3D TSV) som också var det första DDR4-minnet med 3D TSV. Samsung har som sagt börjat massproducera 4GB HBM2 som just är det som Hynix ska börja producera Q3. JEDECs specifikationer säger inte hur man bygger allt detta, där detaljeras protokoll och pin-out exempelvis, inte hur man designar kretsar med through-silicon vias och du får absolut inte någon Verilog/VHDL för en minneskrets, så det är ingen som bara är "tillverkare", du måste utveckla dina egna kretsar och minnen produceras inte ens på några kommersiella processer du hittar hos foundrys utan alla tillverkare har för minnen egna processer och egna fabriker. HBM-specifikationen har de som sagt haft sedan oktober 2013 och säkert också preliminära specifikationer innan dess, plus att de har egen forskning och utveckling på samma spår sedan tidigare. Att SK Hynix inte startat produktion än visar nog ändå att det inte blir massor HBM2 på grafikkortet, inte på att de skulle vara inkompetenta eller slöa. Samsung behövde aldrig tillverka HBM gen 1 heller utan kunde istället under tiden utveckla gen 2.

Undantaget där är att Micron licensierar processen till Nanya som de tidigare hade samägda fabriker med (Micron har köpt upp de tidigare samägda), men Nanya får ju sen utveckla sina egna kretsar. T.o.m. Winbond har sin egen 300-mm fab och process. Minnen är liksom ingen standardprodukt även om han du pratar med har försökt påstått det. På vanliga foundrys kan du inte tillverka så mycket mer än SRAM, det är ju därför tidigare satsningar på sånt som eDRAM integrerat i samma kisel som ASICs förr har fallerat. Därför Intel kör med diskret eDRAM.

Riktigt spännande. Finns det möjlighet till att tillverka HBM för 8GB total minne eller innebär HBM1-tekniken att det blir 4GB igen?

Det går med bredare buss men det är orimligt. 4GB borde räcka utmärkt i den klassen ändå dock.

Inte om vi pratar om nästa flaggskepp. Alltså ersättaren till Fury X då kommer 4GB vara ett problem, eftersom det är ett problem i vissa titlar redan idag.

Jag har extremt svårt att tänka mig att AMD kommer släppa ett flaggskepp med 4GB VRAM, om dom inte gör någon magi med komprimering av något slag.

Nej, men nästa flaggskepp kommer få HBM2. Polaris som detta gäller klarar sig med GDDR5 alternativt HBM. Som det ser ut nu så kör de på HBM på åtminstone Polaris 10. Folk inser inte vilket enormt generationsskifte vi står inför. Nästa generations mellanklass slår dagens flaggskepp på alla fronter.
Man ska ju dock inte förväxla Polaris eller GP104 som kommer nu närmast med flaggskeppen heller.