Ytterligare ett genombrott har skett med materialet grafen. Forskare från IBM har lyckats tillverka en transistor med den högsta frekvensen hittills – hela 100 GHz eller 100 miljarder cykler per sekund.
Transistorn tillverkades dessutom med teknik som används för tillverkning av kretsar i kisel, något som kan sänka kostnaderna vid en eventuell övergång till den nya tekniken. Mätningarna togs i rumstemperatur och vid lägre temperaturer kan ännu mer uppseendeväckande resultat vara möjliga. T.C. Chen på IBM Research kommenterar framstegen:
A key advantage of graphene lies in the very high speeds in which electrons propagate, which is essential for achieving high-speed, high-performance next generation transistors. The breakthrough we are announcing demonstrates clearly that graphene can be utilized to produce high performance devices and integrated circuits.
Trots den höga hastigheten finns det utrymme för förbättring. Transistorn i grafen är av en så kallad top-gate-arkitektur med en portlängd på 240 nanometer. Forskarna tror att ännu högre frekvenser är möjliga om portlängden minskas. Redan nu är grafen-transistorn 150 procent snabbare än motsvarande transistor i kisel, som i dagsläget kommer upp i hastigheter omkring 40 GHz.
