Samsung har arbetat med DDR3-moduler länge och i februari förra året tillkännagav att de hade producerat världens första fungerande 512 megabits DDR3-krets. En talesman för minnesstandardorganet JEDEC har avslöjat att modulerna kommer starta på en effektiv klockfrekvens på 800 megahertz och sedan lanseras i snabbare frekvenser om 1066 och 1333 megahertz. DDR3 förväntas skala upp ända till 1666 megahertz.
DDR3 har en 8 bitars pre-fetchenhet vilket skall öka bandbredden och inte kräva lika högt klockade moduler för samma effektiva bandbredd. Därmed kommer DDR3-moduler också endast behöva cirka 1,5 volt, jämfört med DDR2 som kräver 1,7 volt.
Modulen på 512 megabyte som Samsung visade upp på Intel Developer Forum är tillverkad med en 70 nanometers tillverkningsprocess vilket betyder minskad storlek och värmeutveckling. DDR3 förväntas dock inte ersätta DDR2 i vanliga persondatorer på ett bra tag.
Några latenser på minnena har inte avslöjats, men troligen har DDR3-modulerna i 1066 och 1333 megahertz högre latenser än dagens DDR2-minnen, något som har oroat många då persondatorer idag inte behöver mer bandbredd utan snarare lägre latenser för snabbare prestanda i spel och kontorsprogram.
