Dagens solid state-enheter använder flashminne, som till skillnad från DRAM inte tappar information när strömmen bryts. SSD-enheterna på marknaden använder en speciell typ av flashminne som heter NAND-flash, som kan nå överföringshastigheter på några hundra megabyte per sekund.
Nu rapporterar Toshiba att de gjort nya framsteg med tekniken FeRAM, som kan ersätta flashminne i framtida solid state-enheter. Toshiba har tillverkat en krets med en överföringshastighet på hela 1,6 gigabyte per sekund.
Nackdelen med FeRAM är lägre densitet än flashminne, så Toshibas krets håller endast 16 megabyte. Enligt tillverkaren har dock kretsen högst prestanda per densitet av alla likvärdiga tekniker tillverkade hittills.
Om Toshibas framsteg med FeRAM kommer att leda till kommersiell hårdvara återstår att se. Toshiba lovar att de kommer att fortsätta med forskning och utveckling om tekniken.
Källa: X-bit labs.
