Traditionellt har kretsar krympts till mindre geometrier för billigare och rymligare SSD-lagring, men bekymmer med tålighet och interferens har runt 20 nanometer och nedåt blivit allt påtagligare. Lösningen är att bygga minnesceller på höjden, vilket möjliggör högre kapaciteter utan att varken pris eller tålighet blir lidande.

Kretsar med staplade minnesceller används redan i kommersiella produkter av Samsung, som kallar tekniken 3D V-NAND. Under ett samtal med investerare avslöjar Intel att de i samarbete med Micron kommer erbjuda SSD-enheter med 3D NAND under den andra hälften av 2015.

Den första generationen har 32 lager minnesceller staplade ovanpå varandra med en ännu okänd tillverkningsteknik. Kapaciteten för en enda krets är 256 Gb (32 GB) i MLC-utförande (Multi Level Cell) alternativt hela 384 Gb (48 GB) när den används med den mer slitagebenägna tekniken TLC (Triple Level Cell).

Intel och Microns kretsar kan jämföras mot Samsungs 3D V-NAND, där kapaciteten är 86 Gb (10,75 GB) alternativt 128 Gb (16 GB) vid MLC respektive TLC-utförande. Nämnvärt är även att Samsung använder en 42-nanometersteknik, vilket talar för att Intel och Microns NAND-kretsar bygger på en mindre geometri.

Den nya 3D-tekniken ska enligt Intel innebära ett genombrott kostnadsmässigt och möjliggör SSD-enheter på hela 10 TB inom de närmsta åren. Tekniken ska även kunna rymma 1 TB på en enda minneskapsel med profilmåttet två millimeter, vilket möjliggör användning i exempelvis mobiltelefoner.

Trots att Intel ringat in lanseringsfönstret till årets andra hälft är det inte bestämt vilket marknadssegment som får ta del av tekniken först, men högst upp på listan sägs vara datacenter, företagsanvändare och PC-entusiaster.

Källa: Techreport.