Att ta fram nya och rymligare minneskretsar handlar inte enbart om att krympa transistorerna. Efter multi-level cell (MLC) och triple-level cell (TLC) med två respektive tre bitar per minnescell står framtidshoppet till olika former av 3D-tekniker, där datalagrande celler staplas på höjden för klämma in allt mer lagring på liten yta. Nu tillkännages ett nytt teknikgenombrott.
This 3D NAND technology has the potential to create fundamental market shifts. The depth of the impact that flash has had to date—from smartphones to flash-optimized supercomputing—is really just scratching the surface of what's possible.
Intel och Micron presenterar nu en egen variant av 3D NAND med hela 32 lager minnesceller. Löftet är att introducera MLC- och TLC-kretsar i standardformat med 256 respektive 384 gigabit lagringsutrymme – tre gånger högre kapacitet än konkurrerande tekniker.
Ett annat huvudnummer är att den nya tillverkningstekniken ska sänka kostnaden per gigabyte och göra det möjligt att ta fram mer kostnadseffektiva lagringslösningar. Samtidigt utlovas förbättrade läs- och skrivhastigheter, även när det kommer till slumpmässiga sådana, samt en högre total bandbredd.
Slutligen ska de nya kretsarna sänka energiförbrukningen och öppna upp för strömsnålare lagringsenheter med en typ av viloläge. Individuella kretsar kan stängas av, även inom samma kapsel. Tanken är att de nya minneskretsarna ska kunna användas inom alla områden, från högpresterande serverlösningar till traditionella SSD-enheter, minneskort och mobila enheter.
Intel och Micron är redan igång med inledande produktion och siktar på att kunna leverera större volymer i årets fjärde kvartal. Kommersiella produkter väntas dyka upp under 2016, bland annat lagringsenheter i "tuggummistorlek" (M.2? /reds. anm.) med 3,5 terabyte kapacitet och SSD-enheter i 2,5-tumsformat med hela 10 terabyte lagringsutrymme.
