I takt med att produktionsmetoder förfinas kan tillverkningsprocessen för minnen och andra kretsar krympas till allt mindre storlekar. Resultatet är produkter som rymmer mer data, drar mindre ström och utvecklar mindre värme i jämförelse med tidigare generationer.
Samsung meddelar att företaget sparkat igång massproduktionen av 4 GB stora minnesmoduler av typen DDR3 i 40 nanometer. De nya modellerna kan drivas med så låg spänning som 1,35 V, vilket är en bra bit under JEDEC-standardens 1,5 V.
De nya kretsarna klarar av hastigheter upp till 1 600 MHz och Samsung satsar på moduler för båda bärbara- och stationära datorer. Företaget hävdar att de krympta kretsarna ger upp till 35 procents lägre strömförbrukning än äldre varianter, något som bland annat ger positiv inverkan på batteritiden.
When our 40nm-class DDR3 was first introduced last July, we were well ahead of the curve for high density, high performance DDR3. Now, in just seven more months, we have introduced an ultra-low power 'Green Memory' - the 4Gb DDR3, which is double the density of its predecessor. At a module density of 16-gigabyte, the 4Gb based module can save 35 percent in power consumption, to support customer requirements for more energy-efficient designs.
Nästa steg i utvecklingen är att krympa kretsarna ytterligare till 30 nanometer. Samsung räknar med att dra igång den produktionen under den senare hälften av året.
