Det samägda bolaget IM Flash Technologies med jättarna Intel och Micron i ryggen gör nya framsteg på NAND-området med högdensitetskretsar i 25 nanometer. Minnena är av typen Triple Level Cell (TLC) och klarar av att hålla tre bitar per minnescell. Varje krets lagrar 64 gigabit (8 GB) och kommer att användas till bland annat minneskort, mobiltelefoner och USB-minnen.
Förhoppningen är att teknikskiftet ger lägre kostnad per gigabyte samtidigt som produktionstakten kan höjas. Från en wafer med TLC-kretsar i 25 nanometer går det få fram hela 4 TB flashlagring.
Massproduktionen av 25 nanometers 64 gigabit Triple Level Cell NAND-flash (sug på den /reds. anm.) väntas dra igång vid årsskiftet.
